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#author("2025-03-03T11:23:51+09:00;2025-03-02T10:47:08+09:00","default:kei","kei")
#author("2025-03-31T23:57:50+09:00","default:kei","kei")
#norelated
上野研究室　構成員（2023年度）

・教授　上野　啓司　博士（理学）&br;
・Researcher ID: B-2741-2012~
・ORCID: [[orcid.org/0000-0002-5535-9382:https://orcid.org/0000-0002-5535-9382]]~
・Scopus Author ID: [[7403134302:https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=7403134302]]
--[[履歴]]
--[[自己紹介]]
--[[所有PCなど]]

・助教　Lim Hong En　（リム・ホン・エン）　博士（理学）~
・ORCID: [[orcid.org/0000-0003-0347-8897:https://orcid.org/0000-0003-0347-8897]]~
--[[Lim助教のページ]]

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２０２４（令和６）年度
２０２５（令和７）年度
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・博士前期課程２年　斎藤慎太朗~
--修論題目：「化学気相成長法によるMo&subsc{6};Te&subsc{6};ナノワイヤーの多量成長」~
//ＭＧＣエレクトロテクノ株式会社

・博士前期課程２年　猿田将大~
--修論題目：「Au/SiO&subsc{2};界面へのMoS&subsc{2};薄膜直接成長」~
//マイクロンメモリジャパン株式会社

・博士前期課程２年　田村優奈~
--修論題目：「化学気相成長法によるMoS&subsc{2};ナノリボン形成」~
//TOPPAN株式会社

・博士前期課程２年　飛田龍星~
--修論題目：「銅電極ギャップ間への二硫化タングステン薄膜選択成長」~
//ルネサス エレクトロニクス株式会社

・博士前期課程２年　中山皓太~
--修論題目：「4配位固体モリブデン前駆体を用いた二硫化モリブデン薄膜の原子層堆積成長」~
//マイクロンメモリジャパン株式会社

・博士前期課程２年　森戸智~
--修論題目：「不純物添加したMoS&subsc{2};バルク単結晶の成長と導電性評価」~
//株式会社ニューフレアテクノロジー

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・博士前期課程１年　秋元千佳~
・博士前期課程２年　秋元千佳~
//--卒研課題：「Au/SiO&subsc{2};界面のW膜硫化によるWS&subsc{2};薄膜直接成長」~
--研究課題：「Au/SiO&subsc{2};界面のW膜硫化によるWS&subsc{2};薄膜直接成長」~

・博士前期課程１年　元木友佑~
・博士前期課程２年　元木友佑~
//--卒研課題：「液体硫黄前駆体を用いた硫化ガリウム薄膜のエピタキシャル成長」~
--研究課題：「単層セレン化ガリウム薄膜のエピタキシャル成長とヤヌス化」~

・博士前期課程１年　山口頌平~
・博士前期課程２年　山口頌平~
//--卒研課題：「層状13-16族化合物半導体原子膜のヤヌス化」~
--研究課題：「層状13-16族化合物半導体原子膜のヤヌス化と物性理論計算」~

・博士前期課程１年　山口真由~
・博士前期課程２年　山口真由~
//--卒研課題：「r面サファイア基板上への二硫化モリブデンナノリボン形成」~
--研究課題：「r面サファイア基板上への二硫化モリブデンナノリボン形成とヤヌス化」~

・博士前期課程１年　山田樹~
・博士前期課程２年　山田樹~
//--卒研課題：「テルル化モリブデン細線の合成とその評価」~
--研究課題：「テルル化モリブデン細線の合成とその評価」~

・博士前期課程１年　渡邊陽斗~
・博士前期課程２年　渡邊陽斗~
//--卒研課題：「セレン化インジウムをチャネル層とする電界効果トランジスタの動作安定化」~
--研究課題：「セレン化インジウムをチャネル層とする電界効果トランジスタの動作安定化」~

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・学部４年　椎名嶺~
・博士前期課程１年　椎名嶺~
--卒研課題：「硫化ガリウムをバッファ層として用いた層状物質電界効果トランジスタのヒステリシス低減」~

・学部４年　武居建汰~
・博士前期課程１年　武居建汰~
--卒研課題：「W前駆体を用いた基板／金界面へのWS&subsc{2};成長」~

・学部４年　浦邉優斗~
--卒研課題：「陽極酸化Ta&subsc{2};O&subsc{5};をゲート酸化膜とするMoS&subsc{2};電界効果トランジスタの作製」~

・学部４年　中野颯~
・博士前期課程１年　中野颯~
--卒研課題：「低次元テルル化モリブデンの構造制御」~

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仮配属３年生~
学部４年卒業研究生~
・海老沢悠仁~
・道庭南~
・村松駿~
・矢田浩恭~
・若林采佳~
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・その他の研究課題
--層状カルコゲナイド薄膜のMBE成長と素子応用
--前駆体塗布膜カルコゲン化によるMCh&subsc{2};薄膜形成
--pn特性が制御されたMCh&subsc{2};単結晶形成とデバイス応用
--1次元カルコゲナイド物質に関する研究

などを予定しています。
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