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現役メンバー の履歴(No.115)


上野研究室 構成員(2023年度)

・教授 上野 啓司 博士(理学)
・Researcher ID: B-2741-2012
・ORCID: orcid.org/0000-0002-5535-9382
・Scopus Author ID: 7403134302

・助教 Lim Hong En (リム・ホン・エン) 博士(理学)
・ORCID: orcid.org/0000-0003-0347-8897


2025(令和7)年度


・博士前期課程2年 秋元千佳

  • 研究課題:「Au/SiO2界面のW膜硫化によるWS2薄膜直接成長」

・博士前期課程2年 元木友佑

  • 研究課題:「単層セレン化ガリウム薄膜のエピタキシャル成長とヤヌス化」

・博士前期課程2年 山口頌平

  • 研究課題:「層状13-16族化合物半導体原子膜のヤヌス化」

・博士前期課程2年 山口真由

  • 研究課題:「ヤヌスSMoSeの合成とその評価」

・博士前期課程2年 山田樹

  • 研究課題:「化学気相成長法によるβ相MoTe2ナノリボンの成長制御」

・博士前期課程2年 渡邊陽斗

  • 研究課題:「セレン化インジウムをチャネル層とする電界効果トランジスタの動作安定化」

・博士前期課程1年 椎名嶺

  • 卒研課題:「硫化ガリウムをバッファ層として用いた層状物質電界効果トランジスタのヒステリシス低減」

・博士前期課程1年 武居建汰

  • 卒研課題:「W前駆体を用いた基板/金界面へのWS2成長」

・博士前期課程1年 中野颯

  • 卒研課題:「低次元テルル化モリブデンの構造制御」

学部4年卒業研究生
・海老沢悠仁

  • 卒研課題:「FET応用に向けたTa陽極酸化膜の表面平坦化による耐圧向上」

・道庭南

  • 卒研課題:「Mo6Te6ナノワイヤーの均一性向上と配向性制御」

・村松駿

  • 卒研課題:「層状InSeバルク単結晶/薄膜のJanus化」

・矢田浩恭

  • 卒研課題:「ナノ空間における積層MoS2/WS2構造の形成とその評価」

・若林采佳

  • 卒研課題:「典型元素ドーピングによる半導体遷移金属ダイカルコゲナイドのキャリア制御」

学部3年仮配属学生
・池藍瑠
・佐賀勇哉
・長澤悠太
・森川竜次
・渡邉博輝


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