最近の研究室関連学会講演
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２０２３年度（予定も含む） †
- 2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会（2023年9月19～23日、ハイブリッド開催（熊本城ホールほか3会場＋オンライン））
- Fabrication of CTFET inverter based on MoTe2
- 1Chiba Univ, 2Saitama Univ 〇Tianshun Xie1, Mengnan Ke1, Keiji Ueno2, Nobuyuki Aoki1 19p-P01-73
- 二次元WSe2/WOX電荷トラップメモリにおける光シナプス可塑性
- 1関西大システム理工、2物材機構、3埼玉大院理工 〇金谷 瞳1、櫛原 快児1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 19p-P01-74
- 二次元層状物質WSe2からのテラヘルツ波発生におけるメカニズムの研究
- 1筑波大数理物質、2福井大遠赤セ、3埼玉大院理工、4理化学研究所 〇山田 知穂1、高見沢 仙美1、Joselito Muldera4、上野 啓司3、谷 正彦2、Jessica Afalla1、長谷 宗明1 20a-B203-4
- [講演奨励賞受賞記念講演] 表面偏析による積層構造制御を利用したWSe2 FETのp型動作
- 1東大、2埼玉大、3都立大 〇中島 隆一1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、宮田 耕充3、長汐 晃輔1 21a-A202-1
- 銀電極を用いた1T-VSe2抵抗変化メモリにおける低電圧・安定動作
- 1関西大院理工、2.埼玉大院理工 〇中村 優太1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 21a-A202-6
- ReドープMoSe2同一結晶面内ヘテロ構造によるトンネルFET動作
- 1東大、2埼大 〇香崎 飛竜1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 22a-A202-2
- Decomposition and Size Distribution Monitoring of AlTiO and MoS2 Precursor Mist Particles using a Fast-Scanning Mobility Particle Sizer
- 1Ritsumeikan Univ., 1Saitama Univ. 〇Abdul A Kuddus1, Kojun Yokoyama1, Keiji Ueno1, Shinichiro Mouri1, Hajime Shirai1 22p-P07-6
- 自然酸化層を介した遷移金属ダイカルコゲナイド上への原子層堆積
- 1大阪公立大工、2埼玉大理工、3JSTさきがけ 〇田原 匠陽1、上野 啓司2、野内 亮1, 3 23a-A202-10
- 二次元層状物質NbOI2の光学応答
- 1東大院理、2埼玉大院理工 〇三塚 新1、安田 偉1、河口 真志1、森戸 智2、上野 啓司2、林 将光1 23p-A202-5
- 半導体2H-MoTe2の高密度電子励起下における過飽和吸収現象の観測
- 1筑波大数理、2慶大電情、3埼大院理工 〇福田 拓未1、尾崎 卯汰1、鄭 サムエル1、嵐田 雄介1、塩谷 海斗1、吉田 昭二1、フォンス ポール2、藤田 淳一1、上野 啓司3、長谷 宗明1、羽田 真毅1 23p-B204-5
- 超高速かつロバストな遷移金属ダイカルコゲナイド過飽和吸収体
- 1筑波大数理、2埼玉大院理工 〇尾崎 卯汰1、福田 拓未1、岩崎 ゆい1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、上野 啓司2、長谷 宗明1、羽田 真毅1 23p-B204-7
- Fabrication of CTFET inverter based on MoTe2
- 日本物理学会 第78回年次大会（2023年9月16～19日、東北大学）
- 半導体2H-MoTe2における時間領域反射率変化の初期応答
- 筑波大数理、慶大電情A、産総研B、埼大院理工C ○福田拓未、Paul FonsA、牧野孝太郎B、齊藤雄太B、上野啓司C、Jessica Afalla、長谷宗明 17aPS-17
- TiSe2のCDW転移に伴う3Dフェルミ面構造の変化
- 阪大産研A, 埼玉大理工B, 分子研UVSORC ○田中慎一郎A、菅滋正A、上野啓司B、福谷圭佑C, 松井文彦C、田中清尚C 17pB104-10
- 半導体2H-MoTe2における時間領域反射率変化の初期応答
- 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) (Sep. 5-8, 2023, Nagoya Congress Center, Nagoya)
- Stack control of Bi/Au bilayer electrodes toward p-type WSe2 FET
- 1The Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3Tokyo Metropolitan Univ. ○Ryuichi Nakajima1, Tomonori Nishimura1, Keiji Ueno2, Yasumitsu Miyata3, Kosuke Nagashio1 A-7-03
- Stack control of Bi/Au bilayer electrodes toward p-type WSe2 FET
- 第65回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2023年9月4〜6日、九州大学）
- Few-Layer WSxSe2-x on High-κ AlxTi1-xOy Dielectric Using Consistent Mist CVD and Applied in MOSFETs Devices
- 1Ritsumeikan Univ., 2Saitama Univ. ○Abdul Kuddus1, Kojun Yokoyama2, Keiji Ueno2, Shinichiro Mouri1, Hajime Shirai2 1P-17
- Few-Layer WSxSe2-x on High-κ AlxTi1-xOy Dielectric Using Consistent Mist CVD and Applied in MOSFETs Devices
２０２２年度 †
- 日本物理学会 2023年春季大会（2023年3月22～25日、オンライン開催）
- TiSe2の波数分解共鳴光電子分光：原子間相互作用と負のq値
- 阪大産研A, 埼玉大B, 分子研UVSORC 〇田中慎一郎A, 菅滋正A, 上野啓司B, 福谷圭祐C, 松井文彦C 24pE2-3
- スピン分解Momentum Microscopyによるワイル半金属MoTe2のスピン電子状態解明
- ユーリッヒ研A, デュースブルク・エッセン大B, 分子研UVSORC, 埼大理工D, 阪大産研E 〇萩原健太A, B, C, Philipp RüßmannB, Xin Liang TanA, B, Ying-Jiun ChenA, B, 上野啓司D, Vitaliy FeyerA, B, Giovanni ZamborliniA, Matteo JugovacA, 菅滋正A, E, Stefan BlügelA, Claus Michael SchneiderA, B, Christian TuscheA, B 24pE2-6
- TiSe2の波数分解共鳴光電子分光：原子間相互作用と負のq値
- 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月15～18日、ハイブリッド開催（上智大学四谷キャンパス＋オンライン））
- ALD成長WS2薄膜のサイクル数に応じた組成変化
- 埼玉大院理工 〇福島 崇史、リム ホン エン、上野 啓司 15a-PA01-36
- 液体前駆体を用いたNbS2薄膜の成長とXPS解析
- 埼玉大院理工 〇吉田 考希、リム ホン エン、上野 啓司 15a-PA01-37
- 分子吸着ドーピングと表面酸化によるWSe2の局所キャリア制御
- 1関西大システム理工、2物材機構、3埼玉大院理工 〇四方 沢弥1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 15a-PA01-53
- 1T-VSe2の表面酸化膜を用いた抵抗変化メモリの作製
- 1関西大システム理工、2埼玉大院理工 〇中村 優太1、稲田 貢1、谷 弘詞1、上野 啓司2、山本 真人1 15a-PA01-55
- 二次元WSe2の自己制限酸化膜を利用したメモリの作製
- 1関西大システム理工、2埼玉大院理工 〇寒川 雄斗1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 15a-PA01-56
- 導電性高分子SELFTRONⓇH/n-Si接合太陽電池
- 埼玉大理工研 〇佐藤 亮汰、伊達 仁基、石川 良、上野 啓司、白井 肇 17a-PA05-2
- 表面偏析によるBi 薄膜化を利用したBi/Au コンタクトWSe2 FETのp型動作
- 1東京大工、2埼玉大院理工 〇中島 隆一1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 17a-B414-4
- レーザー誘起ドーピング技術を用いた高性能TFETの作製
- 1千葉大工、2埼玉大院理工 〇謝 天順1、柯 梦南1、上野 啓司2、青木 伸之1 17a-B414-5
- ALD成長WS2薄膜のサイクル数に応じた組成変化
- 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月20～23日、ハイブリッド開催（東北大学 川内北キャンパス＋オンライン））
- 二次元WOxをトラップ層とするMoS2電荷トラップメモリの作製
- 1関西大院理工、2,埼玉大院理工 〇野村 尚哉1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 21p-P12-47
- 二次元WSe2電荷トラップメモリにおけるシナプス動作
- 1関西大院理工、2物材機構、3埼玉大院理工 〇櫛原 快児1、稲田 貢1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、上野 啓司3、山本 真人1 21p-P12-53
- Improved Photovoltaic Properties of Few-layer WS0.3Se1.7/WOx Lateral p+-n Junctions
- Saitama University 〇Abdul A Kuddus、Kojun Yokoyama、Keiji Ueno、Hajime Shirai 21p-B202-3
- レーザー誘起ドーピング技術を用いてp型MoTe2-TFETの実現
- 1千葉大工、2埼玉大理工 〇謝 天順1、福田 和紀1、柯 梦南1、上野 啓司2、青木 伸之1 22a-B202-2
- 極薄Bi/Au蒸着がWSe2に及ぼす影響のXPSによる評価
- 1東京大、2埼玉大 〇中島 隆一1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 22a-B202-6
- 高密度電子励起に伴うMoTe2の超高速格子ダイナミクス
- 1筑波大数理、2産総研、3慶大電情、4埼大理工 〇福田 拓未1、蕪内 涼太1、齋藤 雄太2、牧野 孝太郎2、フォンス ポール3、石川 良4、上野 啓司4、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、羽田 真毅1、長谷 宗明1 23a-C206-2
- 強相関電子系1T-TiSe2におけるコヒーレントフォノンダイナミクス
- 1筑波大数理、2埼大理工 〇水越 優1、福田 拓未1、小森 雄太1、石川 良2、上野 啓司2、長谷 宗明1 23a-C206-4
- 二次元WOxをトラップ層とするMoS2電荷トラップメモリの作製
- The 22nd International Vacuum Congress (IVC-22) (Sep. 11-16, 2022, Sapporo Convention Center, Sapporo)
- Multi-atom resonant photoemission from the valence band of TiSe2
- 1Sanken, Osaka University, 2Graduate School of Science and Engineering Saitama University, 3UVSOR Synchrotron Facility, Institute for Molecular Science 〇Shin-ichiro Tanaka1, Keiji Ueno2, Keisuke Fukutani3, Fumihiko Matsui3 Tue-F1-2
- Femtosecond-laser induced Tellurium segregation in polymorphic two-dimensional layered MoTe2
- 1University of Tsukuba, 2National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 3Keio University, 4Saitama University 〇Takumi Fukuda1, Ryota Kaburauchi1, Yuta Saito2, Kotaro Makino2, Paul Fons3, Keiji Ueno4, Muneaki Hase1, Tue-PO1B-23
- Coherent phonon dynamics in a strongly correlated system of 1T–TiSe2
- 1University of Tsukuba, 2Saitama University 〇Yu Mizukoshi1, Takumi Fukuda1, Yuta Komori1, Ryo Ishikawa2, Keiji Ueno2, Muneaki Hase1 Wed-PO1B-23
- Multi-atom resonant photoemission from the valence band of TiSe2
２０２１年度 †
- 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会（2022年3月22～26日、ハイブリッド開催（青山学院大学相模原キャンパス＋オンライン））
- 光電流測定によるバルクPdSe2のバンドギャップ値評価と光応答機構の考察
- 1東大、2埼玉大 〇西山 航1、西村 知紀1、西岡 政雄1、上野 啓司2、岩本 敏1、長汐 晃輔1 22a-E203-8
- Terahertz emission from single crystal MoSe2
- 1Univ. Tsukuba, 2Univ. Fukui, 3Saitama Univ. 〇JessicaPauline Castillo Afalla1, Joselito Echavez Muldera2, Semmi Takamizawa1, Takumi Fukuda1, Keiji Ueno3, Masahiko Tani2, Muneaki Hase1 22p-F407-8
- 結晶性二硫化タングステン薄膜の低温成長
- 埼玉大院理工 〇齋藤 修士、上野 啓司 22p-P03-20
- 原子層堆積法を用いた結晶性二硫化モリブデンの領域選択成長
- 埼玉大院理工 〇山田 真矢、上野 啓司 22p-P03-21
- プラズマ照射によるMoSe2 FET特性への影響
- 埼玉大院理工 〇志田 知洋、上野 啓司 22p-P06-14
- 剥離により得られた2H-NbS2薄膜 における BKT相転移の 評価
- 1千葉大工、2埼玉大院理工 〇謝 天順1、坂梨 昂平1、上野 啓司2、青木 伸之1 22p-P06-15
- [第51回講演奨励賞受賞記念講演] 2D メモリデバイス超高速動作の物理的起源
- 1東大工、2埼玉大理、3物材機構 〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邉 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 23a-E101-1
- ショットキー障壁制御によるn型WSe2FETのp型動作
- 1東大工、2埼玉大理、3物材機構 〇加藤 諒一1、西村 知紀1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、長汐 晃輔1 23a-E101-4
- WSe2のp型動作に向けたAu/Bi薄膜の仕事関数変調効果
- 1東京大、2埼玉大 〇中島 隆一1、西村 知紀1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 23a-E101-5
- 光電流測定によるバルクPdSe2のバンドギャップ値評価と光応答機構の考察
- 日本物理学会 2022年第77回年次大会（2022年3月15～19日、岡山大学・岡山理科大学）
- 光電子運動量顕微鏡によるTaS2のCDW観察
- 分子研, 阪大産研A, 北陸先端大B, 埼大院理工C, 阪大院工D 松井文彦, 菅滋正A, 田中慎一郎A, 小矢野幹夫B, 上野啓司C, 小林宇宏D, 岩本恵実D, 坂本一之D 16pB26-8
- 2H-MoTe2の長寿命コヒーレントフォノン周期駆動系における非平衡定常状態
- 筑波大数理, 産総研A, 慶大電情B, Herzen大C, 埼大理工D 福田拓未, 牧野孝太郎A, 齊藤雄太A, Paul FonsB, Alexander V. KolobovC, 安藤淳A, 森拓哉D, 石川良D, 上野啓司D, Jessica Afalla, 長谷宗明 17pB24-8
- 光電子運動量顕微鏡によるTaS2のCDW観察
- 日本物理学会 2021年秋季大会（2021年9月20～23日、オンライン開催）
- TiSe2の角度分解・共鳴角度分解光電子分光
- 阪大産研、埼玉大理工A、分子研UVSORB ○田中慎一郎、上野啓司A、松井文彦B 21pE2-3
- TiSe2の角度分解・共鳴角度分解光電子分光
- 2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会（2021年9月10～13日（口頭）21～23日（ポスター）、オンライン開催）
- フルオロフェニルリン酸添加によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 〇石川 良、上野 啓司、白井 肇 11a-N322-2
- Synthesis of 2D MoS2 and WS1-xSex thin films by Mist-CVD
- Saitama University 〇Abdul A Kuddus, Arifuzzaman Rajib, Ryotaro Kizaki, Kojun Yokoyama, Keiji Ueno, Hajime Shirai 11a-N302-4
- バルクPdSe2のバンドギャップ値に対する電気伝導特性からの定量的評価
- 1東大工、2埼玉大理工、3物質・材料研 〇西山 航1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邊 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 11p-N302-1
- Ag-TFSI処理によるWSe2へのホールドーピング
- 1都立大理、2埼玉大院理工、3京都工繊大 〇鈴木 駿太1、小倉 宏斗1、中西 勇介1、林 宏恩1、遠藤 尚彦1、上野 啓司2、野々口 斐之3、宮田 耕充1 12a-N307-4
- 高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作
- 1東大工、2埼玉大理、3物材機構 〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邉 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 13a-N307-1
- Mist-CVD法によるTiOx, AlOx膜におけるバイアス印加の効果
- 埼玉大理工 〇横山 工純、アリフザマン ラジブ、アブドゥル クドゥス、志田 知洋、上野 啓司、白井 肇 13a-S201-8
- 二次元材料の超格子構造による発光色変換膜の作製
- 1信州大工、2信州大 先鋭材料研、3埼玉大院理工) 〇坪井 佑篤1、浦上 法之2、橋本 佳男2、上野 啓司3 23p-P11-22
- プラズマ照射を用いた1T相WSe2薄膜の形成
- 埼玉大院理工 〇志田 知洋、上野 啓司 23p-P13-16
- 低温ALD成長したWS2薄膜の素子応用
- 埼玉大院理工 〇福島 崇史、上野 啓司 23p-P13-17
- フルオロフェニルリン酸添加によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
- 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) (Sep. 6-9, virtual conference)
- Qualitative Judgement of Inconsistent Band Gap Values for Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties
- 1Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3NIMS 〇Wataru Nishiyama1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1 H-4-03
- 50 ns Ultrafast P/E Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device
- 1Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3NIMS 〇Taro Sasaki1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1 H-6-04
- Polarity transition from n-type to p-type WS2 FET by controlling Schottky barrier
- 1Univ. of Tokyo, 2Saitama Univ., 3NIMS 〇Ryoichi Kato1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1 H-6-09
- Qualitative Judgement of Inconsistent Band Gap Values for Bulk PdSe2 from Electrical Transport Properties
２０２０年度 †
- 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会（2021年3月16～19日、オンライン開催）
- タンデム型太陽電池の作製を志向したFA0.9Cs0.1Pb(I0.65Br0.35)3薄膜の改善
- 埼玉大院理工 〇下村 和司、石川 良、上野 啓司、白井 肇 17p-P10-11
- 真空中でレーザー照射により得られた1T-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクト特性の評価
- 1千葉大学、2埼玉大学 〇謝 天順1、池田 駿太郎1、坂梨 昂平1、上野 啓司2、青木 伸之1 18p-Z31-4
- ショットキー障壁制御によるn型WS2-FETのp型動作の実現
- 1東京大工、2埼玉大、3物材機構 〇加藤 諒一1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡辺 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 19a-Z31-3
- 層状半導体を用いた青色微小発光素子の放射色変換
- 1信州大工、2信州大先鋭材料研、3埼玉大院理工 〇坪井 佑篤1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2、上野 啓司3 19a-Z31-8
- 2Dメモリデバイスにおける1μs以下の高速書き込み動作
- 1東大工、2埼玉大理、3物材機構 〇佐々木 太郎1、上野 啓司2、谷口 尚3、渡邉 賢司3、西村 知紀1、長汐 晃輔1 19a-Z31-11 【注目講演】
- 液体前駆体を用いてMBE成長したWS2薄膜の硫黄アニールによる膜質改善
- 埼玉大院理工 〇井上 敬道、上野 啓司 19p-P01-7
- β相MoTe2の大型単結晶合成(2)
- 埼玉大院理工 〇森 拓哉、上野 啓司 19p-P01-8
- プラズマ照射を用いた1T相 MoSe2薄膜の形成
- 埼玉大院理工 〇志田 知洋、上野 啓司 19p-P01-19
- Digitalized Mist-Chemical Vapor Deposition of atomic-layer Molybdenum Disulfide (MoS2) Flakes at Low Temperatures
- Saitama Univ. 〇Abdul A Kuddus, Arifuzzaman Rajib, Shimomura Kazushi, Yokoyama Kojun, Keiji Ueno, Hajime Shirai 19p-Z33-1
- Aluminum titanium oxide Thin Films Synthesized by Mist-CVD and Applied as a Gate Insulating Layer
- Saitama Univ. 〇Arifuzzaman Rajib Rajib, Abdul Kuddus, Tomohiro Shida, Kojun Yokoyama, Keiji Ueno, Hajime Shirai 19p-Z33-2
- タンデム型太陽電池の作製を志向したFA0.9Cs0.1Pb(I0.65Br0.35)3薄膜の改善
- 日本物理学会 2021年第76回年次大会（2021年3月12～15日、オンライン開催）
- マイクロARPESによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の電子状態
- 東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, JST-PRESTOD, 埼玉大理工E, KEK物構研F, 量研機構G, 東北大多元研H 菅原克明A, B, C, D, 川上竜平A, 加藤剛臣A, 田口大樹A, 猿田康朗A, 久保田雄也A, 坪野竜治A, 中山耕輔A, D, 相馬清吾B, C, 上野啓司E, 北村未歩F, 堀場弘司F, G, 組頭広志F, H, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C 13aE2-3
- マイクロARPESによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の電子状態
- 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) (Sep. 27-30, 2020, virtual conference)
- The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET
- K. Nakamura1, N. Nagamura2, K. Ueno3, T. Taniguchi2, K. Watanabe2, 〇Kosuke Nagashio1 (1. The University of Tokyo(Japan), 2. National Institute for Materials Science(Japan), 3. Saitama University(Japan)) H-9-01
- Understanding the Tunneling Behavior in 2D Based Floating Gate Type Memory Device by Measuring Floating Gate Voltage
- 〇Taro Sasaki1, Keiji Ueno2, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Tomonori Nishimura1, Kosuke Nagashio1 (1. Univ. of Tokyo(Japan), 2. Saitama Univ.(Japan), 3. NIMS(Japan)) H-9-04
- The demonstration of SS below 60 mV/dec at RT in all 2D heterostructure TFET
- 分子科学会 オンライン討論会（2020年9月14～17日，オンライン開催）
- カーボンナノチューブを組み込んだナノ構造体の作製
- 名大理1，東大工2，埼玉大理3，物材機構4，産総研5 ○中嶋春菜1，堀田貴都1，井ノ上泰輝2，千足昇平2，上野啓司3，渡邊賢司4，谷口尚4，丸山茂夫2,5，北浦良1 4B03
- カーボンナノチューブを組み込んだナノ構造体の作製
- 日本物理学会 2020年秋季大会（2020年9月8～11日，オンライン開催）
- 波数空間におけるMoS2価電子バンドの原子軌道への分解
- 阪大産研, 埼玉大理工A, 分子研UVSORB 〇田中慎一郎, 上野啓司A，松田博之B，松井文彦B 9aE2-3
- 波数空間におけるMoS2価電子バンドの原子軌道への分解
- 2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会（2020年9月8～11日，オンライン開催）
- Fabrication of Carbon Nanotubes Nanostructures
- 1Nagoya Univ.，2The Univ. of Tokyo，3Saitama Univ.，4NIMS，5AIST 〇(M1)Haruna Nakajima1，Takato Hotta1，Taiki Inoue2，Syohei Chiashi2，Keiji Ueno3，Kenji Watanabe4，Takashi Taniguchi4，Shigeo Maruyama2,5，Ryo Kitaura1 10a-Z29-14
- 浮遊ゲート電位の測定による2DメモリデバイスのMemory window過大評価の理解
- 1東大工，2埼玉大理，3物材機構 〇佐々木 太郎1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 賢司3，西村 知紀1，長汐 晃輔1 11p-Z29-10
- 浮遊ゲート電位（VFG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解
- 1東大工，2埼玉大理，3物材機構 〇佐々木 太郎1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 賢司3，西村 知紀1，長汐 晃輔1 11p-Z29-11
- 低バリアの実現に向けた1T’-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクト特性の評価
- 1千葉大学，2埼玉大学 〇謝 天順1，大内 秀益1，坂梨 昂平1，上野 啓司2，青木 伸之1 11a-Z29-13
- 完全2次元ヘテロTFETによる室温での60mV/dec以下のSS実現
- 1東大，2NIMS，3埼玉大 中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 賢司2，〇長汐 晃輔1 11p-Z29-16
- Fabrication of Carbon Nanotubes Nanostructures
２０１９年度 †
- 日本物理学会 第75回年次大会（2020年）（2020年3月16～19日，名古屋大学）（講演会は中止となりました）
- 2層WSe2の異方的酸化
- 阪大ナノ, NIMSA, 埼玉大院B, 阪大産研C 塩谷広樹, 塚越一仁A, 上野啓司B, 大岩顕C
- 2層WSe2の異方的酸化
- 2020年 第67回応用物理学会春季学術講演会（2020年3月12～15日，上智大学）（講演会は中止となりました）
- 原子層積層構造の平坦化法の検討
- 1名大院理，2埼玉大院理工，3物材機構 〇上田 哲大1，堀田 貴都1，上野 啓司2，渡邊 賢司3，谷口 尚3，北浦 良1 12a-PA2-62
- Bridgman法を用いたSnSe2単結晶への13族元素ドープによる電気的挙動変化
- 埼玉大院理工 〇赤根 大介，上野 啓司 12a-PA2-63
- 気相成長法による層状In2Se3薄膜の形成
- 1埼玉大院理工，2物材機構 WPI-MANA 〇近野 健人1，木津 たきお2，塚越 一仁2，上野 啓司1 12a-PA2-64
- O3曝露酸化およびAl2O3 ALDによるWSe2 FET特性への影響
- 埼玉大院理工 〇町田 葉祐，上野 啓司 12a-PA2-65
- 1T'-MoTe2と2H-MoTe2のコンタクトの特性の評価
- 1千葉大学，2埼玉大学 〇謝 天順1，大内 秀益1，坂梨 昂平1，上野 啓司2，青木 伸之1 12a-PA2-66
- CNTローカルゲートを用いたhBN/MoSe2/hBNデバイスの作製とその評価
- 1名大理，2東大工，3埼玉大理，4物材機構，5産総研 〇堀田 貴都1，中嶋 春奈1，井ノ上 泰輝2，千足 昇平2，上野 啓司3，渡邊 賢司4，谷口 尚4，丸山 茂夫2,5，北浦 良1 12a-PA2-74
- FA0.8Cs0.2PbI3薄膜及び太陽電池におけるフッ素系ポリマーによる表面パシベーション効果の検討
- 埼玉大院理工 〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇 13p-PA3-5
- p+-MoS2/n-MoS2 2D-TFETにおける60 mV/dec以下のS.S.実現
- 1東大，2物材機構，3埼玉大 〇中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 賢司2，長汐 晃輔1 13p-A401-10
- The role of water in the synthesis of AlOx thin films by a mist chemical vapor deposition
- 1Saitama Univ., 2Toyo Univ. 〇Arifuzzaman Rajib Rajib1, Abdul Kuddus1, Karim Enamul1, Shunji Kurosu2, Tomofumi Ukai2, Yasuhiko Fujii2, Masahide Tokuda2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Hajime Shirai1 12p-D419-9
- Effect of the tunnel oxide/AlOx stacked hole-selective contacts on the junction properties at PEDOT:PSS/n-type Si interface
- 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, Arifuzzaman Rajib1, Yuki Nasuno1, Tomofumi Ukai2, Shunji Kurosu2, Masahide Tokuda2, Yasuhiko Fujii2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Hajime Shirai1 12p-A403-12
- 溶液プロセスによる極薄TiOx層の形とPEDOT:PSS/n-Si系太陽電池の正孔ブロッキング層への応用
- 1埼玉大院理工研，2東洋大バイオナノ研 〇那須野 勇樹1，Karim Enamul1，黒須 俊治2，鵜飼 智文2，徳田 正秀2，藤井 泰彦2，花尻 達郎2，石川 良1，上野 啓司1，白井 肇1 15a-PB4-2
- 原子層積層構造の平坦化法の検討
- 2019年 日本表面真空学会学術講演会 （2019年10月28〜30日，つくば国際会議場）
- 金蒸着法を用いたTMDC剥離とガスセンサー応用
- 埼玉大院理工 〇小野悠太朗，上野啓司 2P02
- 金蒸着法を用いたTMDC剥離とガスセンサー応用
- The 11th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2019) (Oct. 6-10, 2019, Matsue)
- Relaxation of Fermi-level Pinning in 2H-MoSe2 FET by Inserting 1T-phase Buffer Layers into Source/Drain Contacts
- Saitama Univ. 〇Keiji Ueno, Tomohiro Shida, Shuuto Horii
- Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts
- 1Osaka University, 2Osaka Prefecture University, 3JST PRESTO, 4National Insutitute for Materials Sciennce, 5Saitama University 〇Mahito Yamamoto1, Ryo Nouchi,2,3, Teruo Kanki1, Shu Nakaharai4, Azusa N. Hattori1, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Yutaka Wakayama4, Keiji Ueno5, Hidekazu Tanaka1
- Relaxation of Fermi-level Pinning in 2H-MoSe2 FET by Inserting 1T-phase Buffer Layers into Source/Drain Contacts
- 2019年 第80回応用物理学会秋季学術講演会（2019年9月18～21日，北海道大学）
- 低温成膜カーボン電極ペロブスカイト太陽電池の作製と評価
- 埼玉大院理工 〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇 18a-E101-10
- 二次元(4F-PEA)2PbI4混合による高配向性・耐久性ペロブスカイト薄膜の作製と評価
- 埼玉大院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 18a-E101-11
- 1T'-MoTe2バルク結晶におけるコヒーレントフォノンの観測
- 1筑波大院数理，2産総研ナノエレ部門，3ハーゼン大，4埼玉大院理工 〇福田 拓未1，牧野 孝太郎2，齊藤 雄太2，フォンス ポール1，コロボフ アレクサンダー2,3，上野 啓司4，モンダル リチャージ1，長谷 宗明1 19a-E205-11
- PtS2/WSe2によるp型2D-TFETにおけるBTBT電流の観測
- 1東大工，2埼玉大理 〇佐藤 雄一朗1，中村 圭吾1，上野 啓司2，長汐 晃輔1 19a-E308-7
- VO2/MoS2界面におけるフェルミレベルピンニング
- 1阪大産研，2阪府大工，3JSTさきがけ，4物材機構，5埼玉大院理工 〇山本 真人1，野内 亮2,3，神吉 輝夫1，中払 周4，服部 梓1，谷口 尚4，渡邊 賢司4，若山 裕4，上野 啓司5，田中 秀和1 19a-E308-8
- PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with ALD-Al2O3/n-Si field effect inversion layer
- 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, Tomofumi UKAI2, A.T.M. Saiful ISLAM1, Shunji KUROSU2, Yasuhiko FUJII2, Masahide TOKUDA2, Tatsuro HANAJIRI2, Ryo ISHIKAWA1, Keiji UENO1, Hajime SHIRAI1 19a-PA4-2
- FACsPbIBrペロブスカイト結晶粒径拡大に対するTSC添加の役割
- 1埼玉大理工研，2堀場テクノサービス 〇川村 晃希1，和才 容子2，ナタリヤ ナバトバ-ガバイン2，石川 良1，上野 啓司1，白井 肇1 20a-PB2-2
- Dynamics of Long-lifetime Coherent Phonon in MoTe2
- 1NeRI, AIST, 2Herzen Univ., 3Saitama Univ., 4Dept. of Appl. Phys., Univ. of Tsukuba 〇Kotaro Makino1, Yuta Saito1, Paul Fons1, Alexander V. Kolobov1,2, Keiji Ueno3, Muneaki Hase4 20p-E214-14
- 液体前駆体を用いたWS2薄膜のMBE成長
- 埼玉大院理工 〇井上 敬道，上野 啓司 21a-PB1-70
- β相MoTe2の大型単結晶合成
- 埼玉大院理工 〇森 拓哉，上野 啓司 21a-PB1-74
- 低温成膜カーボン電極ペロブスカイト太陽電池の作製と評価
- 日本物理学会2019年秋季大会（2019年9月10〜13日，岐阜大学）
- 1T-HfTe2における次元性制御：高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPI-AIMRB, 東北大CSRNC, NSRRCD, 阪大産研E, 埼玉大院理工F ○中田優樹A, 菅原克明A, B, C, Ashish ChainaniD, 山内邦彦E, 中山耕輔A, 相馬清吾B, C, Pei-Yu ChuangD, Cheng-Maw ChengD, 小口多美夫E, 上野啓司F, 高橋隆A, B, C, 佐藤宇史A, B, C 11aD15-9
- 1T-HfTe2における次元性制御：高分解能ARPES
- 第57回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2019年9月3〜5日，名古屋大学）
- Fabrication and evaluation of hBN-encapsulated Monolayer MoSe2 with CNT local gates
- 1Nagoya Univ., 2The Univ. of Tokyo, 3Saitama Univ., 4NIMS, 5AIST ○Takato Hotta1, Haruna Nakajima1, Taiki Inoue2, Shohei Chiashi2, Keiji Ueno3, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Shigeo Maruyama2,5 and Ryo Kitaura1
- Fabrication and evaluation of hBN-encapsulated Monolayer MoSe2 with CNT local gates
- The Seventh International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2019) (June 19-22, Nagano)
- Growth of Crystalline Tungsten Disulfide Thin Films at 350 oC Using Metallorganic and Organic Liquid Precursors
- Saitama Univ. Y. Ikeda and 〇K. Ueno
- Growth of Crystalline Tungsten Disulfide Thin Films at 350 oC Using Metallorganic and Organic Liquid Precursors
２０１８年度 †
- 2019年 第66回応用物理学会春季学術講演会（2019年3月9〜12日，東京工業大学）
- 2次元層状物質材料の基礎と薄膜形成法
- 埼玉大 上野 啓司 9a-M111-1（チュートリアル講演）
- フッ化アミン処理によるペロブスカイト太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 9a-S222-1
- フッ素系ポリマー混成ペロブスカイト太陽電池の作成と評価
- 埼玉大院理工 〇守屋 佑馬，石川 良，上野 啓司，白井 肇 9a-S222-2
- Study on interface recombination characteristics of crystalline-silicon/organic heterojunction solar cells
- Saitama University 〇ATM Saiful Islam, Yuki Nasuno, Daisuke Harada, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Hajime Shirai 9a-W611-6
- PEDOT:PSS/n-Si heterojunction solar cells with ALD-Al2O3 /n-Si field effect inversion layer
- 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, Tomofumi Ukai2, Daisuke Harada1, A.T.M. Saiful Islam1, Shunji Kurosu2, Yoshikata Nakajima2, Yasuhiko Fujii2, Masahide Tokuda2, Tatsuro Hanajiri2, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Hajime Shirai1 9a-W611-7
- 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（４）
- 埼玉大院理工 〇池田 幸弘，上野 啓司 10p-PB5-34
- 1T-MoSe2挿入による 2H-MoSe2 FET のピニング緩和
- 埼玉大院理工 〇堀井 嵩斗，上野 啓司 10p-PB5-39
- hBNサンドしたTMD原子層における励起子拡散
- 1名大理，2埼玉大理，3NIMS 〇堀田 貴都1，樋口 翔平1，内山 揚介1，上野 啓司2，渡邊 賢司3，谷口 尚3，篠原 久典1，北浦 良1 10p-PB5-45
- アルカリ塩をアシスト剤に用いた気相成長単層MoS2及びWS2のFET応用
- 埼玉大院理工 〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司 10p-PB5-48
- p+-WSe2/MoS2 TFETにおけるMoS2厚さによるバンドアライメント制御
- 1東大，2物材機構，3埼玉大 〇中村 圭吾1，永村 直佳2，上野 啓司3，谷口 尚2，渡邊 健司2，長汐 晃輔1 11p-W521-3
- 2次元層状物質材料の基礎と薄膜形成法
- 第37回電子材料シンポジウム（2018年10月10〜12日，ホテル&リゾーツ長浜）
- 二次元層状物質薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- 埼玉大院理工 上野啓司 SP-2（招待講演）
- 二次元層状物質薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会（2018年9月18～21日，名古屋国際会議場）
- レーザー照射による2層WSe2の最表層選択的酸化
- 1阪大ナノセンター，2WPI-MANA 物材機構，3埼玉大院理工，4阪大産研 〇塩谷 広樹1，塚越 一仁2，上野 啓司3，大岩 顕4 18p-224B-2
- 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（３）
- 埼玉大院理工 〇池田 幸弘，上野 啓司 18p-PB3-79
- カリウム塩をアシスト剤に用いた単層 MoS2 及び WS2 の化学気相成長
- 埼玉大院理工 〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司 18p-PB3-80
- ALD成長In2O3薄膜のSe化
- 1埼大院理工，2物材機構 〇近野 健人1，木津 たきお2，塚越 一仁2，上野 啓司1 18p-PB3-81
- 表面酸化によるWSe2上のALD成長Al2O3膜質改善
- 埼玉大院理工 〇町田 葉祐，上野 啓司 18p-PB3-87
- SnSe2 FETのInドープによる電気的挙動変化
- 埼玉大院理工 〇赤根 大介，上野 啓司 18p-PB3-89
- ヒ素をドープした MoSe2 FET の動作特性 (2)
- 埼玉大院理工 〇堀井 嵩斗，上野 啓司 18p-PB3-90
- Passivation of nanopillar Si surface by ALD-Al2O3 and its effect on PV performance of PEDOT:PSS/n-Si solar cells
- 1Saitama University, 2Toyo University 〇Md Enamul Karim1, R. Ishikawa1, K. Ueno1, H. Shirai1, S. Kurosu2, Y. Nakajima2, Y. Fujii2, M. Tokuda2, T. Hanajiri2 19p-PA5-4
- 遷移金属ダイカルコゲナイド強磁性体の物性とヘテロ構造作製
- 1東大生研，2東大院工，3埼大院理工，4CREST-JST 〇守谷 頼1，山崎 雄司1，荒井 美穂1，増渕 覚1，卞 舜生2，為ヶ井 強2，上野 啓司3，町田 友樹1,4 19p-331-2
- 添加剤を用いた一段階法によるKx(FA0.8Cs0.2)1-xPbI3薄膜の作製及び評価
- 埼大院理工 〇石川 良1，上野 啓司1，白井 肇 20a-432-6
- Photovoltaic performance of PEDOT:PSS/c-Si junction solar cells by adding ferroelectric polymer thin-layer
- 1Saitama University, 2Ideal Star Inc. 〇ATM Saiful Islam1, R. Ishikawa1, K. Ueno1, H. Shirai1, K. Omote2, K. Yokoo1 20p-133-12
- Exciton Diffusion in a hBN-encapsulated Monolayer Transition Metal Dichalcogenide
- 1Nagoya Univ., 2Saitama Univ., 3NIMS 〇Takato Hotta1, Syohei Higuchi1, Yosuke Uchiyama1, Keiji Ueno2, Kenji Watanabe3, Takashi Taniguchi3, Hisanori Shinohara1, Ryo Kitaura1 20p-221B-3
- Role of Traps in Few Layer n-ReS2 Phototransistor on top of p-MoTe2 Layer
- 1Natl. Inst. For Materials Science, 2Saitama University 〇Bablu Mukherjee1, Mohd Amir Zulkefli1, Keiji Ueno2, Yutaka Wakayama1, Shu Nakaharai1 21p-PB3-4
- レーザー照射による2層WSe2の最表層選択的酸化
- 日本分析化学会 第67年会（2018年9月12～14日，東北大学川内北キャンパス）
- SnS2二次元薄膜における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング
- 東北大院環境1，東北大AIMR2，東北大院工3，埼玉大院理工4，金沢大WPI-NanoLSI5 ○小川 寛人1，熊谷 明哉1,2，上野 啓司4，井田 大貴1，高橋 康史5，末永 智一1，珠玖 仁3 Y1108
- SnS2二次元薄膜における水素発生反応のナノスケール電気化学イメージング
２０１７年度 †
- International Workshop on Frontier and Cutting-edge Technologies over 2D Materials (FaCeToCeTo2D:2018) (Mar. 29-30, Sendai)
- Low-temperature Atomic Layer Deposition of TMDC Thin Films
- Keiji Ueno (Invited)
- Low-temperature Atomic Layer Deposition of TMDC Thin Films
- 2018年 第65回応用物理学会春季学術講演会（2018年3月17〜20日，早稲田大学）
- 酸化チタン/酸化スズ二層構造を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池
- 埼玉大院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 18a-G202-3
- フッ素系ポリマー混成FA0.8Cs0.2PbI3薄膜の作製及び評価
- 埼玉大 〇秋山 修平，石川 良，上野 啓司，白井 肇 18p-P4-16
- p+-WSe2/MoS2ヘテロ構造におけるキャリア移動のPLによる評価
- 1東大，2埼玉大，3物材機構 〇中村 圭吾1，何 俊陽1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 健司3，長汐 晃輔1 19a-P6-1
- カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用 (3)
- 1埼玉大院理工，2神戸製鋼応物研 〇荻原 えりな1，川上 信之2，上野 啓司1 19a-P6-4
- ハフニウムダイカルコゲナイドの電界効果トランジスタ応用
- 埼玉大院理工 〇新倉 伸幸，上野 啓司 19a-P6-6
- 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長（２）
- 埼玉大院理工 〇池田 幸弘，上野 啓司 19a-P6-63
- 塩化ナトリウムをアシスト剤に用いた単層 MoS2及び WS2の気相成長
- 埼玉大院理工 〇五十嵐 玲太，白井 肇，上野 啓司 19a-P6-64
- NbSe2原子層薄膜の高分解能ARPES
- 1東北大WPI-AIMR，2東北大院理，3東工大院理工，4埼玉大院理工 〇菅原 克明1，中田 優樹2，清水 亮太3，Han Patric1，一杉 太郎3，上野 啓司4，佐藤 宇史2，高橋 隆2,1 19p-C202-9
- TypeⅢ p+-WSe2/WSe2ヘテロ構造におけるバンド間トンネル
- 1東大，2埼玉大，3物材機構 〇何 俊陽1，方 楠1，中村 圭吾1，上野 啓司2，谷口 尚3，渡邊 健司3，長汐 晃輔1 19p-C202-14
- 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製
- 1東大工，2埼玉大，3JST-さきがけ 〇東垂水 直樹1，川元 颯巳1，上野 啓司2，長汐 晃輔1,3 20p-C202-4
- 酸化チタン/酸化スズ二層構造を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池
- The 9th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR2017) (Sep. 19-22, 2017, Singapore)
- Low Temperature Growth of Tungsten Disulfide Thin Films by Atomic Layer Deposition Using Liquid Precursors
- Saitama University Keiji Ueno and Yukihiro Ikeda
- Low Temperature Growth of Tungsten Disulfide Thin Films by Atomic Layer Deposition Using Liquid Precursors
- 日本物理学会 2017年秋季大会（2017年9月21〜24日，岩手大学）
- TaS2上に成長させたBi(110)超薄膜におけるディラック型電子バンドの観測
- 東北大CSRNA，東北大WPIB，東北大院理C，埼玉大理工D 相馬清吾A, B，山田敬子C，C. TrangC，菅原克明B，上野啓司D，佐藤宇史A,C，高橋隆A,B,C 21pB32-12
- 電界効果近接場による遷移金属カルコゲナイド薄膜の局所光物性制御と構造制御
- 首都大理工，埼玉大院理工A 野崎純司，西留比呂幸，上野啓司A，真庭豊，蓬田陽平，柳和宏 22aPS-36
- ダイカルコゲナイドMoTe2における長寿命コヒーレントフォノン
- 産総研ナノエレ，埼玉大院理工A，筑波大数物系B 牧野孝太郎，齊藤雄太，堀井嵩斗A，P. Fons，A. V. Kolobov，安藤淳，上野啓司A，長谷宗明B 24aB21-5
- TaS2上に成長させたBi(110)超薄膜におけるディラック型電子バンドの観測
- 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会（2017年9月5〜8日，福岡国際会議場）
- 層状物質電界効果トランジスタの高性能化のためのゲート界面改質
- 埼玉大院理工 〇原田 恭介，上野 啓司 5p-PA1-65
- 電界効果近接場法によるMoTe2薄膜の構造制御
- 1首都大理工，2埼玉大院理工 〇野崎 純司1，西留 比呂幸1，上野 啓司2，蓬田 陽平1， 柳 和宏1 5p-PA1-66
- ヒ素をドープしたMoSe2 FETの動作特性
- 埼玉大院理工 〇堀井 嵩斗，上野 啓司 5p-PA1-71
- カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用 (2)
- 1埼玉大院理工，2神戸製鋼応物研 〇荻原 えりな1，川上 信之2，上野 啓司1 5p-PA1-79
- 2段階Cs0.2FA0.8PbIxBr3-xペロブスカイトのI/Br組成比に対する誘電関数スペクトル
- 埼玉大理工研 〇高橋 浩太郎，三浦 拓也，上野 啓司，白井 肇 5p-PA3-18
- 2段階Cs0.2FA0.8PbIxBr3-xペロブスカイト作製における前駆体CsPbI2微細構造の影響
- 埼玉大理工研 〇三浦 拓也，高橋 浩太郎，石川 良，上野 啓司，白井 肇 5p-PA3-19
- 自己制御表面酸化によるWSe2原子層トランジスタの高受光感度化
- 1阪大産研，2埼玉大院理工，3物材機構 〇山本 真人1，上野 啓司2，塚越 一仁3 6p-C16-5
- 液体前駆体を用いたALD法による二硫化タングステン薄膜成長
- 埼玉大院理工 〇池田 幸弘，上野 啓司 6p-C16-16
- VO2/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ
- 1阪大産研，2阪府大工，3物材機構，4埼玉大院理工 〇山本 真人1，神吉 輝夫1，服部 梓1，野内 亮2，谷口 尚3，渡邉 賢司3，上野 啓司4，田中 秀和1 7p-A202-14
- 薄層SnSの機械的剥離と化学的安定性
- 1東大院工，2埼玉大院理工，3JST-さきがけ 〇東垂水 直樹1，川元 颯巳1，上野 啓司2，長汐 晃輔1,3 7p-C11-13
- WSe2/SnS2ヘテロ構造におけるバンド間トンネル
- 1東大，2埼玉大，3JST-さきがけ 〇何 俊陽1，方 楠1，中村 圭吾1，上野 啓司2，長汐 晃輔1,3 7p-C11-19
- ALDで形成した薄膜InOx高移動度TFT
- 1物材機構，2工学院大，3埼玉大院理工 〇木津 たきお1，相川 慎也1,2，池田 幸弘3，上野 啓司3，生田目 俊秀1，塚越 一仁1 7p-C23-2
- 添加剤を用いた一段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価 (2)
- 埼玉大院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 8a-A501-4
- 層状物質電界効果トランジスタの高性能化のためのゲート界面改質
２０１６年度 †
- 日本物理学会 第72回年次大会（2017年）（2017年3月17〜20日，大阪大学）
- カルコゲナイド系強磁性層状物質Cr1/3TaS2の伝導特性
- 東大生産研A，東大院工B，埼玉大院理工C，CREST-JSTD 山崎雄司A，荒井美穂A，守谷頼A，増渕覚A，卞舜生B，為ヶ井強B，上野啓司C，町田友樹A, D 18aB21-1
- 原子層1T-NbSe2の高分解能ARPES
- 東北大院理A，東北大WPI-AIMRB，東北大CSRNC，東工大院理工D，埼玉大院理工E 中田優樹A，菅原克明B, C，清水亮太B, D，岡田佳憲B，Patrick HanB，佐藤宇史A, C，一杉太郎B, D，上野啓司E，高橋隆A, B, C 18aB21-8
- カルコゲナイド系強磁性層状物質Cr1/3TaS2の伝導特性
- 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会（2017年3月14〜17日，パシフィコ横浜）
- 二硫化タングステンFET動作特性の温度依存性
- 埼玉大院理工 〇河合 信哉，上野 啓司 14p-P4-75
- PMMAバッファー層を有する層状13族カルコゲナイド単結晶FETの作製
- 埼玉大院理工 〇田村 透，上野 啓司 14p-P4-76
- 原子層半導体/強相関酸化物ヘテロ構造の創製と電気特性評価
- 1阪大産研，2阪府大N2RC，3埼玉大院理工 〇山本 真人1，神吉 輝夫1，服部 梓1，野内 亮2，上野 啓司3，田中 秀和1 16a-F203-1
- 層状薄片添加による有機無機ヘテロ接合太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 〇木村 貴大，石川 良，白井 肇，上野 啓司 16p-P6-11
- 添加剤を用いた一段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価
- 埼玉大院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 17a-303-15
- 二硫化タングステンFET動作特性の温度依存性
- 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会（2016年9月13〜16日，朱鷺メッセ（新潟））
- 層状超伝導体NbSe2薄膜の超伝導転移
- 1筑波大数理物質，2PRESTO-JST，3NIMS，4埼玉大 〇矢部 大輔1，鑓水 勝秀1，園田 大樹1，大塚 洋一1，友利 ひかり1,2，渡邊 賢司3，谷口 尚3，上野 啓司4，神田 晶申1 13p-P5-59
- 二硫化タングステンFETの動作特性とその金属−半導体界面状態の評価
- 埼玉大院理工 〇河合 信哉，上野 啓司 13p-P5-61
- 二セレン化ハフニウム原子層の電界効果トランジスタ応用
- 埼玉大院理工 〇新倉 伸幸，河合 信哉，上野 啓司 13p-P5-62
- 層状13族カルコゲナイド単結晶を用いたトップゲート型FETの作製
- 埼玉大院理工 〇田村 透，上野 啓司 13p-P5-63
- カルコゲナイド系層状物質原子膜FETのガスセンサ応用
- 1埼玉大院理工，2神戸製鋼電技研 〇荻原 えりな1，川上 信之2，上野 啓司1 13p-P5-64
- 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池（シンポジウム ナノ界面現象と評価技術の現状と課題）
- 1埼玉大理工研，2KIS 〇白井 肇1，劉 希明1，林 勉2，石川 良1，上野 啓司1 13p-B7-8
- はじめに：遷移金属ダイカルコゲナイド原子薄膜の成膜技術（シンポジウム 機能性原子薄膜材料の新展開－成膜技術－）
- 埼玉大院理工 〇上野 啓司 14p-A33-1（招待講演）
- グラフェン／層状超伝導体NbSe2直接接合における超伝導近接効果
- 1筑波大数理物質，2PRESTO-JST，3NIMS，4埼玉大 〇鑓水 勝秀1，大塚 洋一1，友利 ひかり1,2，渡邊 賢司3，谷口 尚3，上野 啓司4，神田 晶申1 15a-A33-6
- Nafion-Modified PEDOT:PSS/c-Si Solar Cells
- Saitama Univ. 〇Qiming Liu, Jaker Hossain, Takuya Miura, Daisuke Harada, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Hajime Shirai 15p-P13-2
- NbSe2/WSe2ファンデルワールスヘテロ接合における伝導特性
- 1東大生研，2埼玉大院理工，3物材機構，4東大ナノ量子，5JST-CREST 〇佐田 洋太1，守谷 頼1，上野 啓司2，星 裕介1，増渕 覚1，渡邊 賢司3，谷口 尚3，町田 友樹1,4,5 16a-A32-4
- 二段階法によるFA1-xCsxPbI3薄膜の作製及び評価
- 埼玉大学院理工 〇石川 良，上野 啓司，白井 肇 16p-A41-3
- 層状超伝導体NbSe2薄膜の超伝導転移
- 日本物理学会 2016年秋季大会（2016年9月13日〜16日，金沢大学)
- Bi超薄膜1T-TaS2におけるバンド構造の異常な振る舞い：高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPIB, 埼玉大理工C ○山田敬子A, C. TrangA, 相馬清吾B, 菅原克明B, 佐藤宇史A, 上野啓司C, 高橋隆A, B 13aAG-7
- NbSe2原子層薄膜における微細電子構造：高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPIB, 東工大院理工C, 埼玉大院理工D 中田優樹A, 菅原克明B, 相馬清吾B, 佐藤宇史A, 清水亮太B, C, 一杉太郎B, C, 上野啓司D, 高橋隆A, B 15aAM-9
- グラフェン上に作製したNbSe2薄膜の高分解能ARPES
- 東北大院理A, 東北大WPIB, 東工大院理工C, 埼玉大院理工D 中田優樹A, 菅原克明B, 相馬清吾B, 佐藤宇史A, 清水亮太B, C, 一杉太郎B, C, 上野啓司D, 高橋隆A, B 15pPSA-48
- Bi超薄膜1T-TaS2におけるバンド構造の異常な振る舞い：高分解能ARPES
- 9th International Symposium on Organic Molecular Electronics (ISOME 2016) (May 18 - 20, 2016, Niigata)
- Application of van der Waals 2D materials to atomic layer electronics
- Saitama University Keiji Ueno I5-2 (Invited)
- Application of van der Waals 2D materials to atomic layer electronics
２０１５年度 †
- 2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会（2016年3月19〜22日，東京工業大学）
- Application of Layered Chalcogenide Materials to Atomic Layer Electronics
- Saitama Univ. ○Keiji Ueno 19a-S221-2 (Invited)
- Two-flow CVDによるMoSe2薄膜成⻑
- 埼玉大院理工 ○田崎 直也，上野 啓司 20a-P4-59
- アルミナ薄膜封⽌による⿊リン電界効果トランジスタの安定動作
- 埼玉大院理工 ○中西 将毅，上野 啓司 20a-P4-70
- 多孔性PbI2薄膜を前駆体とする (FAPbI3)1-x(MAPbBr3)x薄膜の作製及び評価
- 埼玉大院理工 ○⽯川 良，上野 啓司，⽩井 肇 21a-W531-6
- Fabrication of back-contact c-Si/PEDOT:PSS heterojunction solar cells
- 1Saitama Univ., 2Tokai Univ. ○Jaker Hossain1, Koji Kasahara1, Qiming Liu1, Ryo Ishikawa1, Keiji Ueno1, Tetsuya Kaneko2, Hajime Shirai1 21a-P8-9
- 霧化塗布法によるc-Si上のPEDOT:PSS製膜過程の評価
- 埼玉大院理工 ○市川 浩気，⼤⽊ 達也，ホサイン ジャケル，⽯川 良，上野 啓司，⽩井 肇 21a-P8-10
- プラズマCVDによるc-Si/PEDOT:PSS太陽電池反射防⽌膜⽤a-SiOH膜の作製
- 1埼玉大工，2埼玉大院理工 ○笠原 浩司1，ホサイン ジャケル2，劉 奇明2，⽯川 良2，上野 啓司2，⽩井 肇2 21a-P8-11
- WSe2表⾯酸化層のp型コンタクト・ドーパント応⽤（講演奨励賞受賞記念講演）
- 1物材機構，2埼⽟⼤院理⼯ ○⼭本 真⼈1，中払 周1，上野 啓司2，塚越 ⼀仁1 22a-S421-1
- Application of Layered Chalcogenide Materials to Atomic Layer Electronics
- 日本物理学会 第71回年次大会（2016年）（2016年3月19日〜22日，東北学院大学）
- 高分解能 ARPES による遷移金属ダイカルコゲナイド 1T-TaS2上の Bi 超薄膜の電子構造
- 東北大院理A，東北大WPIB，埼玉大理工C ○山田敬子A，Chi TrangA，相馬清吾B，菅原克明B，佐藤宇史A，上野啓司C，高橋隆A, B 19aAJ-4
- NbSe2薄膜における電子状態の膜厚依存性：高分解能ARPES
- 東北大院理A，東北大WPIB，埼玉大理工C ○中田優樹A，山田敬子A，君塚平太A，田中祐輔A，菅原克明B，相馬清吾B，佐藤宇史A，清水亮太B，一杉太郎B，上野啓司C，高橋隆A, B 20pBE-2
- 高分解能 ARPES による遷移金属ダイカルコゲナイド 1T-TaS2上の Bi 超薄膜の電子構造
- 8th Int. Symp. on Adv. Plasma Sci. & its Appl. for Nitrides and Nanomater. (ISPlasma2016) / 9th Int. Conf. Plasma-Nano Technology and Science (ICPLANTS2016) (Mar 6-10, 2016, Nagoya, Japan)
- Layered Chalcogenide Materials: Basic Properties and Application to Atomic-layer Electronics"
- Saitama University, Keiji Ueno 10pA07I (Invited Lecture)
- Layered Chalcogenide Materials: Basic Properties and Application to Atomic-layer Electronics"
- CEMS Topical Meeting on Emergent 2D Materials (Dec 11-12, 2015, Wako, Saitama, Japan)
- Quantum Transport in van der Waals Junctions of 2D materials
- The University of Tokyo1, CREST2,Saitama University3 National Institute for Materials Science4, ○T. Machida1,2, S. Masubuchi1, N. Inoue1, S. Morikawa1, R. Moriya1, N. Yabuki1, M. Arai1, Y. Yamasaki1, K. Ueno3, K. Watanabe4, T. Taniguchi1
- Quantum Transport in van der Waals Junctions of 2D materials
- 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (Dec 7-9, 2015, Washington, DC, USA)
- van der Waals Junctions of Layered 2D Materials for Functional Devices
- The University of Tokyo, Saitama University* ○T. Machida, R. Moriya, M. Arai, Y. Sata, T. Yamaguchi, N. Yobuki, S. Morikawa, S. Masubuchi, and K. Ueno *, "Nano Device Technology – Focus Session – Layered 2D Materials and Devices: From Growth to Applications" 27-6
- van der Waals Junctions of Layered 2D Materials for Functional Devices
- 第20回スピン工学の基礎と応用（PASPS-20）（2015年12月3日〜4日，東北大学）
- Spintronics with van der Waals heterostructure of layered materials
- The University of Tokyo1, Saitama University2 ○R. Moriya1, M. Arai1, T. Yamaguchi1, Y. Inoue1, N. Yabuki1, Y. Sata1, S. Mausubuchi1, K. Ueno2, and T. Machida1
- Spintronics with van der Waals heterostructure of layered materials
- ENS-UT Workshop on Physics (Nov 18-19, 2015, Tokyo）
- Quantum transport in van der Waals junctions of graphene and 2D materials
- The University of Tokyo1, CREST2,Saitama University3 National Institute for Materials Science4, ○T. Machida1,2, R. Moriya1, N. Yabuki1, M. Arai1, Y. Yamasaki1, K. Ueno3, S. Masubuchi1, N. Inoue1, S. Morikawa1, K. Watanabe4, and T. Taniguchi1
- Quantum transport in van der Waals junctions of graphene and 2D materials
- 7th International Conference on Recent Progress in Graphene (and Two-dimensional Materials) Research (Oct 25-29, 2015, Victoria, Australia)
- Observation of tunneling magnetoresistance effect in Fe0.25TaS2/Fe0.25TaS2 van der Waals junction
- The University of Tokyo1, Saitama University2 ○Miho Arai1, Rai Moriya1, Naoto Yabuki1, Satoru Mausubuchi1, Keiji Ueno2, and Tomoki Machida1
- Observation of tunneling magnetoresistance effect in Fe0.25TaS2/Fe0.25TaS2 van der Waals junction
- 日本物理学会 2015年秋季大会（2015年9月16〜19日，関西大学）
- NbSe2薄膜の高分解能ARPES
- 東北大院理A，東北大WPIB，埼玉大院理工C 中田優樹B，山田敬子B，君塚平太B，田中祐輔B，菅原克明B，相馬清吾B，佐藤宇史A，上野啓司C，高橋隆A,B 17pAH-4
- 1T-TaS2上のBi薄膜の高分解能ARPES
- 東北大院理A，東北大WPIB，埼玉大院理工C 山田敬子A，Chi TrangA，相馬清吾B，菅原克明B，佐藤宇史A，上野啓司C，高橋隆A,B 18aCE-3
- NbSe2薄膜の高分解能ARPES
- 2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会（2015年9月13〜16日，名古屋国際会議場）
- 遷移金属ダイカルコゲナイドα-MoTe2のショットキー接合における注入キャリアの極性
- 物材機構1，埼玉大院理工2 ○中払 周1，山本 真人1，上野 啓司2，林 彦甫1，黎 松林1，塚越 一仁1 13p-1A-8
- WSe2原子層の層数制御酸化
- 物材機構1，埼玉大院理工2 ○山本 真人1，中払 周1，上野 啓司2，塚越 一仁1， 13p-1A-9
- おわりに（シンポジウム「機能性原子薄膜化合物材料の応用展開」）
- 埼玉大院理工 ○上野 啓司 13p-1A-15（招待講演）
- 霧化塗布法によるMoO3ARコート結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池
- 埼玉大院理工 ○市川 浩気，大木 達也，ホサイン ジャケル，石川 良，上野 啓司，白井 肇 13p-2V-3
- 導電性高分子PEDOT:PSSの微細構造改質と結晶Si太陽電池特性への影響
- 埼玉大院理工 ○船田 修司，劉 奇明，石川 良，上野 啓司，白井 肇 13p-2V-5
- 層状カルコゲナイド原子膜によるヘテロ接合太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 ○木村 貴大，八木 大地，石川 良，白井 肇，上野 啓司 13p-PB9-31
- 金属酸化物/PEDOT:PSS/Si積層によるタンデム型ヘテロ接合太陽電池の作製
- 埼玉大院理工 ○八木 大地，木村 貴大，石川 良，白井 肇，上野 啓司 13p-PB9-32
- 金属単結晶基板上における単層カーボンナイトライド成長
- 東大院理1，東大院新領域2，埼玉大院理工3 ○加藤 時穂1，小幡 誠司2，上野 啓司3，斉木 幸一朗1,2 14a-2T-1
- 二段階法による(FAPbI3)1-x(MAPbBr3)x薄膜の作製及び評価
- 埼玉大院理工 ○石川 良，山中 孝紀，本多 善太郎，上野 啓司，白井 肇 14p-1G-7
- 層状13族カルコゲナイドの単結晶成長とFET応用
- 埼玉大院理工 ○田村 透，上野 啓司 16a-PA2-25
- 層状β-MoTe2の合成，物性解析と応用
- 埼玉大院理工 ○福島 宏治，上野 啓司 16a-PA2-26
- 黒リン単結晶の合成とFETへの応用
- 埼玉大院理工 ○中西 将毅，上野 啓司 16a-PA2-28
- カルコゲナイド系層状物質FET動作特性の温度依存性
- 埼玉大院理工 ○河合 信哉，上野 啓司 16a-PA2-29
- 遷移金属ダイカルコゲナイドα-MoTe2のショットキー接合における注入キャリアの極性
- The 21st International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-21) (July 26 - 31, 2015, Sendai)
- "Magnetic Tunnel Junction Built from Layered Material"
- The Univ. of Tokyo1, Saitama Univ.2 ○Miho Arai1, Rai Moriya1, Naoto Yabuki1, Satoru Masubuchi1, Keiji Ueno2, and Tomoki Machida1, Mo-PE-86
- "Magnetic Tunnel Junction Built from Layered Material"
- The 16th International Conference on the Science and Application of Nanotubes (NT15) (June 29 - July 3, 2015, Nagoya)
- "Growth and characterization of 1T’-layered transition metal ditelluride single crystals"
- Saitama Univ. ○Keiji Ueno and Koji Fukushima, P-102
- "Tunnel magnetoresistance in ferromagnetic layered dichalcogenide van der Waals junctions"
- The Univ. of Tokyo1, Saitama Univ.2 ○Tomoki Machida1, Miho Arai1, Rai Moriya1, Naoto Yabuki1, Satoru Masubuchi1, Keiji Ueno2, P-174
- "Growth and characterization of 1T’-layered transition metal ditelluride single crystals"
２０１４年度 †
- 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会（2015年3月11〜14日，東海大学）
- Si(111)基板上におけるジアセチレン薄膜成長過程の光学顕微鏡観察
- 東大新領域1，埼玉大院理工2 ○鎌田勇人1，小幡誠司1，上野啓司2，斉木幸一朗1 11a-D2-2
- 前駆体溶液塗布膜からのMoS2薄膜作製及びH2アニールによる特性変化
- 埼玉大院理工 ○黒崎祐太郎，上野啓司 11a-P6-24
- C-Si/PEDOT:PSS heterojunction solar cells with a TiO2 AR coating
- Saitama University ○Q. Liu, T. Ohki, R. Ishikawa, K. Ueno, H. Shirai 11p-C2-7
- Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の劣化機構
- 埼玉大院理工 ○武居雄輝，八木大地，石川 良，白井 肇，上野啓司 12p-P7-21
- 霧化塗布法によるテクスチャーSi /PEDOT:PSS接合太陽電池
- 埼玉大理工 ○大木達也，市川浩気，石川 良，上野啓司，白井 肇 12p-P7-23
- FTIR-ATR によるc-Si/PEDOT:PSS 界面化学結合評価と太陽電池性能
- 埼大理工研 ○船田修司，大木達也，市川浩気，石川 良，上野啓司，白井 肇 12p-P7-24
- P(VDF-TeFE)強誘電体高分子を挿入したc-Si/PEDOT:PSS 太陽電池
- 埼玉大 ○舛森建太，劉 奇明，石川 良，上野啓司，白井 肇 12p-P7-25
- CH(NH2)2Pb(I1-xBrx)3薄膜の作製および評価
- ○山中孝紀，石川 良，本多善太郎，上野啓司，白井 肇 13a-P13-24
- Si(111)基板上におけるジアセチレン薄膜成長過程の光学顕微鏡観察
- 第48回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2015年2月，東京）
- "Mechanical exfoliation and van der Waals assembly of layered ferromagnetic dichalcogenide FexTaS2"
- 東大生産研1，埼玉大院理工2 ○荒井 美穂1, 守谷 頼1, 矢吹 直人1, 増渕 覚1, 上野 啓司2, 町田 友樹1 3-4
- "Mechanical exfoliation and van der Waals assembly of layered ferromagnetic dichalcogenide FexTaS2"
- The 1st International Conference on Two-Dimensional (2D) Layered Materials (IC2DMat) (Oct. 12 - 15, 2014, Hangzhou)
- "Fabrication and Characterization of WTe2 Field-effect Transistors"
- Koji Fukushima, Yusuke Tabata and ○Keiji Ueno, P-41
- "Fabrication and Characterization of WTe2 Field-effect Transistors"
- The 6th International Conference on Recent Progress in Graphene Research (RPGR2014) (Sep. 21 - 25, 2014, Taipei)
- "Fabrication of Ambipolar α-MoTe2 Thin Film Field-Effect Transistors"
- ○Keiji Ueno, Yusuke Tabata, PJ-01
- "Fabrication of Ambipolar α-MoTe2 Thin Film Field-Effect Transistors"
- 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会（2014年9月17〜20日，北海道大学）
- Si/PEDOT:PSS ヘテロ接合太陽電池の光照射下での劣化
- 埼玉大院理工 ○武居雄輝，八木大地，石川 良，白井 肇，上野啓司 17a-PA2-8
- 酸化物層挿入によるSi/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の高性能化
- 埼玉大院理工 ○八木大地，武居雄輝，石川 良，白井 肇，上野啓司 17a-PA2-23
- PEDOT:PSS/多結晶Si接合太陽電池
- 埼玉大理工研 ○劉 奇明，大木達也，石川 良，上野啓司，白井 肇 17a-PB4-19
- 霧化塗布法PEDOT:PSSのテクスチャーSi上へのミスト輸送,基板付着過程の診断 Ⅱ
- 埼玉大理工研1，台湾交通大2，チャレンジ3，東洋大バイオナノエレクトロニクス研究センター4 ○大木達也1，菅原広充1，市川浩気1，古 佩儒2，藤山和彦3，花尻達郎4，石川 良1，上野啓司1，孫 建文2，白井 肇1 18a-A25-12
- 層状WTe2単結晶を用いた電界効果トランジスタ作製と評価
- 埼玉大院理工 ○福島宏治，上野啓司 18a-PA3-8
- 層状遷移金属Se、Te化合物の化学気相成長
- 埼玉大院理工 ○田崎直也，上野啓司 18a-PA3-9
- 前駆体溶液塗布膜からの大面積層状ダイカルコゲナイド薄膜の作製
- 埼玉大院理工 ○黒崎祐太郎，上野啓司 18a-PA3-10
- 遷移金属ダイカルコゲナイドの基礎物性と薄膜形成（30分）
- シンポジウム「機能性原子薄膜化合物材料の新展開」
- 埼玉大院理工 ○上野啓司 18p-B3-2（招待講演）
- 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池(2)
- 埼玉大院理工 ○石川 良，山中孝紀，本多善太郎，上野啓司，白井 肇 19p-A1-13
- Si/PEDOT:PSS ヘテロ接合太陽電池の光照射下での劣化
２０１３年度（予定も含む） †
- 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会（2014年3月17日〜20日，青山学院大学）
- Cu基板上に塗布製膜した固体前駆体からの通電加熱グラフェン製膜
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○馬場 智矢1，斉木 幸一朗2，上野 啓司1 17a-E2-7
- 層状物質ドーピングによる高導電グラフェン透明薄膜作製(2)
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学(株)2 ○竹内 彩1，後藤拓也 2，上野啓司1 17a-E2-10
- 層状半導体MoSe2, MoTe2を用いた電界効果トランジスタの作製と評価
- 埼玉大院理工 ○田端祐輔，上野啓司 17a-E2-24
- 分光エリプソメトリーによる酸化グラフェン霧化塗布過程のその場計測
- 埼玉大 ○船田修司，日當大我，石川 良，上野啓司，白井 肇 17a-E2-32
- 霧化塗布PEDOT:PSSミスト輸送時の気相診断と塗布形態
- 埼玉大 ○菅原広充，宮内直人，石川 良，上野啓司，白井 肇 17a-PA4-6
- 霧化塗布法による結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池性能因子の面内分布評価
- 埼玉大理工研 ○大木達也，宮内直人，菅原広充，石川 良，上野啓司，白井 肇 17a-PA4-7
- 結晶Si/PEDOT:PSS系へテロ接合太陽電池性能因子の面内分布評価
- 埼玉大理工研 ○劉 奇明，大木達也，柿沼貴之，Khatri Ishwor，石川 良，上野啓司，白井 肇 17a-PA4-8
- 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池へのa-Si:H層挿入効果
- 埼玉大理工研 ○渡辺恭平，Qiming Liu，Ishwor Khatri，石川 良，上野啓司，白井 肇 18p-E12-15
- (CH3NH3)PbI3薄膜の合成と光電物性
- 埼玉大 ○山中孝紀，渡辺恭平，劉 奇明，石川 良，本田善太郎，上野啓司，白井 肇 18a-PA5-2
- 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とするペロブスカイト太陽電池
- 埼玉大院理工 ○石川 良，山中考紀，本多善太郎，上野啓司，白井 肇 18a-PA6-10
- Cu基板上に塗布製膜した固体前駆体からの通電加熱グラフェン製膜
- 第46回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム（2014年3月，東京）
- カルコゲナイド系層状物質の原子膜エレクトロニクス応用
- 上野啓司 1S-3（特別講演）
- カルコゲナイド系層状物質の原子膜エレクトロニクス応用
- 2013 JSAP-MRS Joint Symposia (Sep. 16 - 20, 2013, Kyoto)
- "Effects of MoO3 molecular doping on the chemical structure of PEDOT:PSS and on carrier collection efficiency of Si/PEDOT:PSS heterojunction solar cells"
- Qiming Liu, Ishiwar Khatri, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno and Hajime Shirai, 16a-M2-5
- "Fabrication and Characterization of n- and p-type WSe2 Field Effect Transistors"
- Yusuke Tabata and Keiji Ueno, 17p-PM1-7
- "Self-assembled silver nanowires mesh as top electrode in poly (3,4-ethylenedioxythiophene):poly(stylenesulfonate) (PEDOT:PSS)/n-Si solar cell"
- Ishwor Khatri, Qiming Liu, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno and Hajime Shirai, 18a-M1-2
- "Mechanical Exfoliation and Electrical Characterization of SnS2 Thin Films using 'Nanomanipulator' under SEM Observation"
- Atsushi Ando, Tetsuo Shimizu, Hiroshi Suga, Yukinori Morita, Yusuke Tabata and Keiji Ueno, 20p-M8-7
- "Effects of MoO3 molecular doping on the chemical structure of PEDOT:PSS and on carrier collection efficiency of Si/PEDOT:PSS heterojunction solar cells"
- 2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会（2013年9月16〜20日，同志社大学）
- MoO3前駆体塗布膜の硫化によるMoS2薄膜形成
- 埼玉大院理工 ○黒崎祐太郎，田端祐輔，上野啓司 16p-P7-13
- 分光エリプソメトリーにおける酸化グラフェンの評価
- 埼玉大 ○船田修司，日當大我，上野啓司，石川良，白井肇 16p-P7-16
- 層状物質ドーピングによる高導電グラフェン透明薄膜作製
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学2 ○竹内彩1，後藤拓也2，上野啓司1 16p-P7-36
- 霧化塗布法によるPEDOT:PSSの光学異方性の分光エリプソメトリーによるその場測定
- 埼玉大 ○日當大我，船田修司，上野啓司，白井肇 17a-C5-8
- 結晶Si/PEDOT:PSSへテロ接合太陽電池の水素パッシベーション効果
- 埼玉大理工研 ○渡辺恭平，山中孝紀，石川良，上野啓司，白井肇 17p-P12-5
- 基板面方位による結晶Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の特性変化
- 埼玉大院理工 ○石川良，柴山拓，白井肇，上野啓司 18a-P6-10
- パリレン積層膜による結晶Si/PEDOT:PSSヘテロ接合太陽電池の耐久性向上
- 埼玉大院理工 ○武居雄輝，石川良，白井肇，上野啓司 18a-P6-16
- 酸化チタンナノ粒子を電子輸送層とする逆型有機薄膜太陽電池
- 埼玉大院理工 ○石川良，白井肇，上野啓司 19a-C6-13
- MoO3前駆体塗布膜の硫化によるMoS2薄膜形成
- The 5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research (RPGR2013) (Sep. 9 - 13, 2013, Tokyo)
- "Synthesis of graphene from solution-processed polymer films on Cu by the Joule heating method"
- Tomoya Baba, Keiji Ueno, 10p-P1-27
- "Field-effect transistors of transition metal dichalcogenides prepared using artificially grown single-crystals"
- Yusuke Tabata, Yutaro Kurosaki, Keiji Ueno, 11p-P2-12
- "Preparation of highly conductive transparent graphene films by the doping of metallic layered materials"
- Aya Takeuchi, Keiji Ueno, 11p-P2-38
- "Synthesis of graphene from solution-processed polymer films on Cu by the Joule heating method"
- NIMS Conference 2013 (July 1 - 3, 2013, Tsukuba)
- ”Device Application of Graphene and Similar Layered Materials Thin Films"
- Keiji Ueno, OS2-4 (Invited)
２０１２年度 †
- 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会（2013年3月27〜30日，神奈川工科大学）
- 通電加熱法によるPMMA 塗布膜からのグラフェン合成
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○馬場智矢1，斉木幸一朗2，上野啓司1 27p-G12-6
- 可溶性酸化グラフェンを基盤材料とした結晶Si系太陽電池
- 埼玉大工 ○星野彩，渡邊郁弥，石川良，上野啓司，白井肇 27p-G12-9
- 可溶性グラフェンを基盤材料に用いたZnO系TFT
- 埼玉大理工研 ○柿沼貴之，菊池智大，菅沼洸一，石川良，上野啓司，白井肇 27p-G12-42
- 2次元層状物質WSe2を用いた電界効果トランジスタの作製と評価
- 埼玉大院理工 ○田端祐輔，上野啓司 27p-G12-46
- Agナノワイヤーand MWCNTsを用いたc-Si/PEDOT:PSS接合太陽電池
- 埼玉大理工研 ○Ishwor Khatri，Qiming Liu，渡邊郁弥，星野彩，石川良，上野啓司，白井肇 28a-G18-9
- MoO3添加PEDOT:PSSの微細構造と結晶Si系太陽電池
- 埼玉大理工研 ○劉奇明，Ishwor Khatri，石川良，上野啓司，白井肇 28a-G18-10
- カルコゲナイド系2次元層状物質薄膜の形成と素子応用
- 埼玉大院理工 ○上野啓司 28p-G12-10（シンポジウム「2次元層状物質の合成・評価技術」招待講演）
- SEM中ナノマニピュレータによる遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の作製と電気特性評価
- 産総研1，千葉工大2，埼玉大院理工3 ○安藤淳1，清水哲夫1，菅洋志1,2，森田行則1，田端祐輔3，上野啓司3 28p-G12-12
- 可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善（4）
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学3 坂本舞1，○菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 28p-PA8-4
- 酸化グラフェンをテンプレートに利用した薄膜SiおよびAZO剥離転写
- 埼玉大理工研 ○渡辺恭平，越野秀人，石川良，上野啓司，白井肇 29p-PA9-17
- 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とする逆型有機薄膜太陽電池(2)
- 埼玉大院理工 ○石川良，白井肇，上野啓司 30a-PB2-14
- MoO3前駆体：酸化グラフェン混合溶液を用いた有機薄膜太陽電池正孔輸送層の塗布形成
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学2 ○喜志真佑子1，白井肇1，後藤拓也2，上野啓司1 30a-PB2-15
- PEDOT:PSSの光学異方性と結晶Si接合系太陽電池
- 埼玉大理工研 ○石川恭兵，日當大我，石川良，上野啓司，白井肇 30a-PB2-16
- Si ナノワイヤ配列の形成と PEDOT:PSS の埋め込みプロセス
- 埼玉大理工研 ○Wei Wang，今村教嗣，石川良，上野啓司，白井肇 30a-PB2-17
- 通電加熱法によるPMMA 塗布膜からのグラフェン合成
- IUMRS-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM 2012) (Sep. 23-28, Yokohama)
- Solution-processed MoOx hole-transporting layer for normal and inverted organic thin-film photovoltaic cells
- Ryo Ishikawa*, Hajime Shirai and Keiji Ueno, A-1-O26-003
- Solution-processed MoOx hole-transporting layer for normal and inverted organic thin-film photovoltaic cells
- 日本物理学会 2012年秋季大会（2012年9月18日〜21日，横浜）
- 領域7，領域8，領域4合同シンポジウム「原子膜が拓く新たな電子系と電気的特性および応用展開」
- 層状カルコゲナイド系を中心とした原子膜のデバイス応用
- 埼玉大 上野啓司 18pFH-6（招待講演）
- 2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会（2012年9月11日〜14日，愛媛大学）
- MoO3:GO混合正孔輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の性能向上
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学2 ○喜志真佑子1，白井 肇1，後藤拓也2，上野啓司1 11p-PB1-14
- 酸化グラフェン(GO)薄片の C2H2/Arプラズマ処理による低抵抗化
- 埼玉大 ○渡邊郁弥，星野 彩，菅沼洸一，石川 良，上野啓司，白井 肇 12a-C1-4
- ハロゲン系プラズマCVD法により作製した微結晶Si膜の剥離・転写技術
- 埼玉大 ○越野秀人，渡邊恭平，Qiming Liu，上野啓司，白井 肇 13a-F6-3
- フッ素系界面活性剤層の挿入による有機薄膜太陽電池の性能向上
- 埼玉大院理工 ○石川 良，白井 肇，上野啓司 13p-H1-2
- 合成 MoS2単結晶を用いた電界効果トランジスタの作製と評価
- 埼玉大院理工 ○田端祐輔，上野啓司 13p-C2-6
- 可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善（3）：グラフェンソース・ドレイン電極の利用
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学3 ○坂本 舞1，菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 13p-PB2-3
- グラフェン電極を用いた有機／無機ハイブリッドCMOS回路の塗布形成
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学3 ○菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 13p-PB2-4
- 結晶Si上の霧化塗布(CMD)法によるPEDOT:PSS製膜
- 埼玉大理工 ○今村教嗣，Khatori Ishow，石川 良，上野啓司，白井 肇 14p-H1-4
- PEDOT:PSSの光学異方性と結晶 Si 太陽電池性能因子との関連
- 埼玉大工 ○日當大我，石川恭兵，上野啓司，白井 肇 14p-H1-5
- Siテクスチャー上の結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池
- 埼玉大 ○宮内直人，今村教嗣，劉 奇明，石川 良，上野啓司，白井 肇 14p-H1-6
- MoO3:GO混合正孔輸送層を用いた有機薄膜太陽電池の性能向上
- 2012 The Nineteenth International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- (AM-FPD'12) (July 4-6, Kyoto)
Symposium "Current Status and Future Prospects of Novel Transparent Conductive Films"- "Solution Processed Graphene Transparent Conductive Film"
- Keiji Ueno (Invited)
- "Solution Processed Graphene Transparent Conductive Film"
２０１１年度 †
- 2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会（2012年3月，早稲田大学）
- グラフェンを電極としたn型FETの溶液塗布法による作製と評価
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学3 ○菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 15a-A3-44
- ゲート誘電体中への不純物添加によるペンタセンFET 動作特性制御
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○吉永裕亮1，菅沼洸一1，坂本 舞1，斉木幸一朗2，上野啓司1 15p-GP11-12
- 結晶Si/PEDOT:PSS:GOへテロ接合太陽電池Crystalline Si/PEDOT:PSS:GO composite heterojunction solar cells
- 埼玉大1，三菱ガス化学2 小野正浩1，○（D）劉 奇明1，Zeguo Tang1，豬野智久1，上野啓司1，白井 肇1，後藤拓也2 16p-F7-7
- 霧化製膜法による酸化グラフェン・PEDOT:PSS 製膜と太陽電池応用
- 埼玉大理工1，チャレンジ2 ○今村教嗣1，日當大我1，小野正浩1，植原 晃2，上野啓司1，白井 肇1 16p-F7-8
- 酸化グラフェンを正孔輸送層とする有機薄膜太陽電池素子のUV-O3処理による性能向上
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学2 ○久保洋輔1，石川 良1，白井 肇1，後藤拓也2，上野啓司1 16p-GP9-10
- 酸化亜鉛ナノ粒子を電子輸送層とする逆型有機薄膜太陽電池
- 埼玉大院理工 ○石川 良，白井 肇，上野啓司 16p-GP9-13
- 結晶Si/PEDOT:PSS:GOへテロ接合素子のキャリア輸送特性
- 埼玉大院 ○（D）唐 澤国，Qiming Liu，小野正浩，猪野智久，石川 良，上野啓司，白井 肇 17p-C2-3
- 静電塗布(ESD)法によるP3HT薄膜成長の実時間計測と太陽電池応用
- 埼玉大 ○（B）日當大我，猪野智久，小野正浩，福田武司，上野啓司，白井 肇 17p-F10-13
- 結晶Si/a-Si:H(Cl)/PEDOT:PSSへテロ接合太陽電池に関する研究
- 埼玉大理工研 ○越野秀人，今井祐紀，小野正浩，猪野智久，上野啓司，白井 肇 18a-B10-4
- グラフェンを電極としたn型FETの溶液塗布法による作製と評価
- 電子情報通信学会 有機エレクトロニクス研究会（OME）（2011年12月21日，東京）
- 静電塗布法による有機薄膜成長過程の実時間その場診断
- ○日當大我・猪野智久・福田武司・上野啓司・白井 肇（埼玉大）
- 酸化グラフェン/結晶シリコン太陽電池
- ○小野正浩・福地美樹（埼玉大）・後藤拓也（三菱ガス化学）・上野啓司・白井 肇（埼玉大）
- グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価
- ○菅沼洸一（埼玉大）・斉木幸一朗（東大）・後藤拓也（三菱ガス化学）・上野啓司（埼玉大）
- 静電塗布法による有機薄膜成長過程の実時間その場診断
- 薄膜材料デバイス研究会 第８回研究集会（2011年11月4, 5日，京都）
- グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学(株)3 ○菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 4R03
- 酸化グラフェン/c-Si接合型太陽電池
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学(株)2 ○小野正浩1，福地美樹1，後藤拓也2，上野啓司1，白井肇1 4P13
- 光電変換層へのグラフェン添加による有機薄膜太陽電池の性能向上
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学(株)2 ○石川 良 1，後藤 拓也 2，白井 肇1，上野 啓司1 4P59
- 静電塗布法によるP3HT:PCBM薄膜太陽電池
- 埼玉大院理工 猪野智久、石川良，浅野隆，福田武司，上野啓司，○白井肇 5P60
- グラフェン塗布電極を用いた有機FETの作製と評価
- 第三回薄膜太陽電池セミナー（2011年10月24, 25日，さいたま）
- PP-3「メタノール分散液のスピンコートによるMoO3正孔輸送層の作製」
- 喜志 真佑子
- PP-4「酸化グラフェンを正孔輸送層とする塗布型有機薄膜太陽電池の作製」
- 久保 洋輔
- PP-11「有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果」
- 石川 良
- PP-12「溶液プロセスによるグラフェン塗布電極の作製と評価」
- 菅沼 洸一
- PP-3「メタノール分散液のスピンコートによるMoO3正孔輸送層の作製」
- 2011年秋季 第72回応用物理学会学術講演会（2011年8月29日〜9月2日，山形）
- 有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果（2）
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学(株)2 ○石川 良 1，後藤 拓也 2，白井 肇1，上野 啓司1 1a-L-5
- 酸化グラフェンを正孔輸送層とする塗布型有機薄膜太陽電池の作製（2）
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学(株)2 ○久保 洋輔1，白井 肇1，後藤 拓也2，上野 啓司1 1a-L-6
- MoO3メタノール分散液のスピンコートによる正孔輸送層の作製
- 埼玉大院理工 ○喜志 真佑子，久保 洋輔，白井 肇，上野 啓司 1a-L-7
- グラフェン/GO/c-Si へテロ接合薄膜太陽電池
- 埼玉大院理工 小野正浩，久保洋輔，猪野智久，上野啓司，○白井肇 1a-L-8
- グラフェン電極を用いたトップコンタクト型有機FETの作製と評価
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学(株)3 ○菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 1a-R-13
- 可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善（2）
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学(株)3 ○坂本舞1，菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 1a-R-14
- PVAゲート誘電体中への微量Na添加によるペンタセンFETの両極動作特性制御
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○吉永裕亮1，斉木幸一朗2，上野啓司1 1p-R-8
- 静電塗布法による PEDOTPSS 薄膜成長初期の SE 実時間その場観察
- 埼玉大院理工 ○猪野智久，浅野俊，福田武司，上野啓司，白井肇 31p-V-5
- フラックスエピタキシー:C60六角板状結晶の生成とその成長過程
- 東工大応セラ研1，東工大総理工2，物材機構3，埼玉大院理4 ○武山洋子1，丸山伸伍1，安井伸太郎2，舟窪浩2，角谷正友3，谷口博基1，伊藤満1，上野啓司4，松本祐司1 30p-V-9
- 有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果（2）
- International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT2011) （2011年6月26日〜7月1日，シンガポール）
- Application of Solution-processed Graphene Oxide and Reduced Graphene Oxide Thin Films to Organic Thin Film Photovoltaic Cells
- Keiji Ueno, Ryo Ishikawa, Yosuke Kubo, Hajime Shirai and Takuya Gotou, E-PO3-7
- Fabrication of Polymer Solar Cells with Graphene-doped Active Layers
- Ryo Ishikawa, Takuya Gotou, Hajime Shirai and Keiji Ueno, E-PO3-10
- Fabrication of Solution-processed Transparent Organic Field-effect Transistors with Graphene Electrodes
- Koichi Suganuma, Shunichiro Watanabe, Takuya Gotou and Keiji Ueno, E-PO3-8
- Koichi Suganuma, Shunichiro Watanabe, Takuya Gotou and Keiji Ueno, E-PO3-8
- Application of Solution-processed Graphene Oxide and Reduced Graphene Oxide Thin Films to Organic Thin Film Photovoltaic Cells
２０１０年度 †
※2011年3月の学会は全て中止になりました（講演は成立）。
- 2011年春季 第58回応用物理学関係連合講演会（2011年3月，神奈川工科大学）
- 有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学（株）2 ○石川 良1，後藤拓也2，白井 肇1，上野啓司1 25a-BD-2
- 可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善
- 埼玉大院理工1，埼玉大理2，東大院新領域3，三菱ガス化学4 ○菅沼洸一1，坂本 舞2，斉木幸一朗3，後藤拓也4，上野啓司1,2 24a-BU-3
- 層間剥離 MoS2薄膜を用いた MoO3正孔輸送層作製(2)
- 埼玉大院理工 加藤彰悟，久保洋輔，白井 肇，○上野啓司 25p-BD-21
- 静電塗布法による PEDOT:PSS 薄膜成長初期の実時間その場観察
- 埼玉大院理工 ○猪野智久，浅野 俊，福田武司，上野啓司，白井 肇 24p-CD-5
- 二溶媒を用いた静電塗布法の噴射領域の制御及び有機薄膜の表面平坦化
- 埼玉大1，理研2 浅木裕隆1,2，○福田武司1,2，浅野俊1,2，高木健次1,2，本多善太郎1，鎌田憲彦1，上野啓司1，危衛2，王盛2，加瀬究2 24p-CD-6
- DMSOドープPEDOT:PSSをTCOに用いたCuPc/C60へテロ接合型太陽電池
- 埼玉大 ○(B)村松義之，林 達也，猪野智久，石川 良，上野啓司，白井 肇 25p-BD-12
- 埼玉大 ○(B)村松義之，林 達也，猪野智久，石川 良，上野啓司，白井 肇 25p-BD-12
- 有機薄膜太陽電池の光電変換層へのグラフェンドーピング効果
- Sixth International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE6)（2011年3月，仙台）
- Improvement in the performance of bulk-heterojunction organic polymer photovoltaic cells by graphene doping
- Ryo Ishikawa, Takuya Gotou, Hajime Shirai, Keiji Ueno
- Organic field-effect transistors with solution processed graphene electrodes
- Koichi Suganuma, Shunichiro Watanabe, Takuya Gotou, Keiji Ueno
- Efficient organic photovoltaic cells using hole-transporting MoO3 buffer layers converted from solution-processed MoS2 films
- Shogo Kato, Ryo Ishikawa, Hajime Shirai, Keiji Ueno
- Shogo Kato, Ryo Ishikawa, Hajime Shirai, Keiji Ueno
- Improvement in the performance of bulk-heterojunction organic polymer photovoltaic cells by graphene doping
- 2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会（2010年9月，長崎）
- 酸化グラフェンを正孔輸送層とする塗布型有機薄膜太陽電池の作製
- 埼玉大院理工1，埼玉大工2，三菱ガス化学3 ○久保洋輔1，林 達也1，猪野智久1，村松義之2，白井 肇1,2，後藤拓也3，上野啓司1 14p-R-3
- 酸化グラフェンを正孔輸送層に用いたCuPc/C60太陽電池
- 埼玉大院理工1，埼玉大工2，三菱ガス化学3 ○林 達也1，猪野智久1，村松義之2，久保洋輔1，石川 良1，後藤拓也3，上野啓司1，白井 肇1,2 14p-R-4
- 層間剥離MoS2薄膜を用いたMoO3正孔輸送層作製
- 埼玉大院理工 ○加藤彰悟，久保洋輔，白井 肇，上野啓司 14p-R-5
- CuPc/C60太陽電池素子性能におけるPEDOT:PSSの低温プラズマ処理効果
- 埼玉大院理工 ○猪野智久，林 達也，石川 良，菅沼洸一，上野啓司，白井 肇 15a-R-5
- トップコンタクト型グラフェン電極を有する塗布型有機FETの作製と評価
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学3 ○菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 16a-H-1
- 全塗布形成トップゲート構造グラフェン電極有機電界効果トランジスタの作製
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学3 ○渡辺俊一郎1，菅沼洸一1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 16a-H-2
- PVA ゲート誘電体中の Na 除去/再添加によるペンタセン FET の動作特性変調
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○吉永裕亮1，斉木幸一朗2，上野啓司1 16a-H-8
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○吉永裕亮1，斉木幸一朗2，上野啓司1 16a-H-8
- 酸化グラフェンを正孔輸送層とする塗布型有機薄膜太陽電池の作製
- International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals 2010 (ICSM 2010)(July 4-9, 2010, Kyoto)
- Transparent Organic Field-effect Transistors with Solution-processed Graphene Electrodes
- K. Suganuma, M. Yoshida and K. Ueno
- Transparent Organic Field-effect Transistors with Solution-processed Graphene Electrodes
２００９年度 †
- 2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会（2010年3月，東海大学）
- 透明グラフェン薄膜をゲート電極とした塗布型有機薄膜トランジスタの作製
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学（株）3 ○菅沼洸一1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 17a-ZK-8
- グラフェン薄膜をソース/ドレイン電極とするn型有機薄膜電界効果トランジスタの塗布形成
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学（株）3 ○渡辺俊一郎1，菅沼洸一1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 17a-ZK-9
- フレキシブル基板上に形成したグラフェン透明電極を用いた有機薄膜太陽電池
- 埼玉大院理工1，埼玉大理2，三菱ガス化学（株）3 ○吉田雅史1，久保洋輔2，白井肇1，後藤拓也3，上野啓司1 18p-ZL-11
- 化学的薄片剥離により形成したグラフェン薄膜の電子エネルギー損失分光測定(2)：還元状態の深さ方向解析
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学（株）3 ○石川良1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 19p-TD-14
- 塗布形成グラフェン透明電極を用いた有機薄膜素子
- 埼玉大院理工1，埼玉大理2，三菱ガス化学（株）3 ○上野啓司1，吉田雅史1，菅沼洸一1，久保洋輔2，白井肇1，後藤拓也3 20p-TD-7
- 静電塗布法を用いたグラフェン薄膜形成
- 埼玉大院理工1，三菱ガス化学（株）2 ○福島宏幸1，上野啓司1，後藤拓也2，浅木裕隆1，福田武司1，鎌田憲彦1 20p-TD-8
- プラズマ処理 PEDOT:PSS 基板上CuPc/C60太陽電池
- 埼玉大院理工 ○林達也，猪野智久，白井肇，上野啓司，石川 良 19p-ZL-9
- 埼玉大院理工 ○林達也，猪野智久，白井肇，上野啓司，石川 良 19p-ZL-9
- 透明グラフェン薄膜をゲート電極とした塗布型有機薄膜トランジスタの作製
- 2009年秋季 第70回応用物理学会学術講演会（2009年9月，富山）
- 化学的薄片剥離により形成したグラフェン薄膜の電子エネルギー損失分光測定
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学（株）3 ○石川良1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 10p-ZK-7
- グラフェン塗布電極を用いた有機電界効果トランジスタにおける接触抵抗の評価
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学（株）3 ○菅沼洸一1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 10a-K-10
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2，三菱ガス化学（株）3 ○菅沼洸一1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，後藤拓也3，上野啓司1 10a-K-10
- 化学的薄片剥離により形成したグラフェン薄膜の電子エネルギー損失分光測定
- Graphene Tokyo 2009（2009年7月，東京大学）
- Graphene transparent electrodes for organic polymer solar cells
- M. Yoshida, K. Suganuma, H. Shirai and K. Ueno
- Organic field-effect transistors with graphene electrodes
- K. Suganuma, M. Yoshida and K. Ueno
- Graphene transparent electrodes for organic polymer solar cells
２００８年度 †
- 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会（2009年3月／4月，筑波大学）
- 透明グラフェン塗布電極を用いた有機ポリマー太陽電池
- 埼玉大理1，埼玉大院理工2 中山真一1，吉田雅史2，白井 肇2，○上野啓司2 30a-ZF-2
- グラフェンによる透明導電膜およびFET電極形成と評価
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○吉田雅史1，菅沼洸一1，斉木幸一朗2，上野啓司1 1a-TA-7
- グラフェン塗布電極を用いた有機電界効果トランジスタの動作特性
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○菅沼洸一1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，上野啓司1 2a-C-6
- 化学的手法を用いたグラフェン単層膜の単離およびFET特性
- 東大院新領域1，東大院理2，埼玉大院理工3 ○佐藤裕樹1，小幡誠司2，白石淳子1，上野啓司3，斉木幸一朗1.2 1a-TA-1
- 酸化グラフェンの高分解能電子エネルギー損失スペクトル
- 東大院新領域1，東大院理2，埼玉大院理工3 ○白石淳子1，小幡誠司2，上野啓司3，斉木幸一朗1.2 1a-TA-3
- 透明グラフェン塗布電極を用いた有機ポリマー太陽電池
- 日本物理学会 第64回年次大会（2009年3月，東京）
- 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性
- 東大院理，東大新領域A，埼玉大院理工B 小幡誠司，佐藤裕樹A，白石淳子A，服部功三A，吉田雅史B，上野啓司B，斉木幸一朗A 27aYH-8
- 酸化グラフェン超薄膜の還元と電気伝導特性
- 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会（2008年9月，愛知）
- 化学的薄片剥離により形成したグラフェンおよび酸化グラフェン薄膜の電子分光測定
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○石川 良1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，上野啓司1 5a-P15-2
- 化学的薄片剥離により形成したグラフェン薄膜を用いた電界効果トランジスタの動作特性
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○菅沼洸一1，石川 良1，吉田雅史1，斉木幸一朗2，上野啓司1 5a-P15-3
- 化学的薄片剥離により形成した酸化グラフェン／グラフェン薄膜の加熱による抵抗変化
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○吉田雅史1，斉木幸一朗2，上野啓司1 5a-P15-4
- Na添加PVA塗布によるTa2O5ゲート基板上ペンタセンFETの低電圧両極動作
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 ○武林聡子1，斉木幸一朗2，上野啓司1 5a-X-8
- 化学的薄片剥離により形成したグラフェンおよび酸化グラフェン薄膜の電子分光測定
- 日本物理学会 2008年秋季大会（2008年9月，盛岡）
- 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 吉田雅史1，斉木幸一朗2，○上野啓司1 21aTA-6
- 化学的薄片剥離を用いたグラフェン薄膜形成手法の比較検討
２００７年度 †
- 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会（2008年3月，日本大学）
- 「化学的薄片剥離により生成したグラフェンを用いた透明電極形成」
- 埼玉大理1，東大院新領域2，埼玉大院理工3，吉田雅史1，斉木幸一朗2，上野啓司3 27a-P1-39
- 「基板表面エネルギー変調による有機半導体薄膜の縞状位置選択成長」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 川端ちひろ1，斉木幸一朗2，上野啓司1 27p-P3-20
- 「Nb:SrTiO3(100) 上のペンタセン薄膜の紫外光電子分光と酸素暴露効果」
- 東工大応セラ研1，科技構戦略2，埼玉大院理3 保戸塚梢1，片山正士2，上野啓司3，松本祐司1,2 27p-D-10
- 「基板上に塗布したPVA薄膜の高分解能電子エネルギー損失スペクトル」
- 東大院新領域1 埼玉大院理工2，白石淳子1，池田進1，圓谷志郎1，上野啓司2，斉木幸一朗1 27p-D-11
- 「化学的薄片剥離により生成したグラフェンを用いた透明電極形成」
- 2007年秋季 第68回応用物理学会学術講演会（2007年9月，北海道工業大学）
- 「PVA塗布Ta2O5基板上に作製した両極動作ペンタセンFET動作機構の検討」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 武林聡子1，阿部重臣1，斉木幸一朗2，上野啓司1，7a-D-2
- 「ステップバンチＳｉ基板を用いたナノインプリント」
- 埼玉大院理工 小野木亮, 上野啓司 ，7p-M-9
- 「面内有機ヘテロ接合の形成を目標とした基板表面への縞状変調構造の作製」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 川端ちひろ1，小野木亮1，斉木幸一朗2，上野啓司1，7p-M-10
- 「PVA塗布Ta2O5基板上に作製した両極動作ペンタセンFET動作機構の検討」
２００６年度 †
- 2007年春季 第54回応用物理学連合講演会（2007年3月，青山学院大学）
- 「マイカをゲート基板に用いた有機電界効果トランジスタにおける劈開面上カリウムイオンの影響（２）」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 松本 晃1，池田 進2，斉木幸一朗2，上野啓司1 27a-W-23
- 「Ta2O5ゲート誘電体表面へのPVA塗布によるペンタセンFETの両極性動作」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 阿部重臣1，武林聡子1，斉木幸一朗2，上野啓司1 27a-W-22
- 「ポリ(3-アルキルチオフェン)薄膜の面内配向制御」
- 埼玉大理1，東北大金研2，東大新領域3，東大院理4 小野木 亮1，吉川元起2，霍間勇輝3，松本 晃1，池田 進3，島田敏宏4，斉木幸一朗3,4，中原弘雄1，上野啓司1 28p-SK-6
- 「擬似単結晶ペンタセン単分子膜のバンド分散の測定」
- 東大院理1，埼玉大院理工2，東大新領域3 鈴木維允1，島田敏宏1，上野啓司2，池田 進3，斉木幸一朗3，長谷川哲也1 28a-SK-8
- 「ナノ周期構造を用いた分子の配向制御」
- 東大新領域1，東大院理2，埼玉大院理工3，早大ナノテク研4 池田 進1，島田敏宏2，上野啓司3，和田恭雄4，斉木幸一朗1 28p-W-3
- 「マイカをゲート基板に用いた有機電界効果トランジスタにおける劈開面上カリウムイオンの影響（２）」
- Fourth International Conference on Molecular Electronics and Bioelectronics (M&BE4)（2007年3月，東京大学）
- "Characterization of the in-plane ordering of a poly(3-alkylthiophene) thin film by polarized NEXAFS spectroscopy"
- Ryo Onoki, Genki Yoshikawa, Yuki Tsuruma, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki and Keiji Ueno
- "Fabrication of a pentacene field-effect transistor on a mica gate substrate and shielding of injected carriers from interfacial potassium ions"
- Akira Matsumoto, Ryo Onoki, Susumu Ikeda, Koichiro Saiki and Keiji Ueno
- "Characterization of the in-plane ordering of a poly(3-alkylthiophene) thin film by polarized NEXAFS spectroscopy"
- 平成18年度第2回放射光表面科学部会シンポジウム（2007年1月，東京大学）
- 「偏光NEXAFS分光法によるポリ(3-アルキルチオフェン)薄膜の面内配向評価」
- 埼玉大理1，東北大金研2，東大新領域3，東大院理4 小野木 亮1，吉川元起2，霍間勇輝3，松本 晃1，池田 進3，島田敏宏4，斉木幸一朗3,4，中原弘雄1，上野啓司1
- 「偏光NEXAFS分光法によるポリ(3-アルキルチオフェン)薄膜の面内配向評価」
- The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy（2006年9月，早稲田大学）
- "Growth and Photopolymerization of Long-chain Diacetylene Derivative Giant Domains on Si(111) Surfaces"
- R. Onoki, K. Ueno and K. Saiki
- "Growth and Photopolymerization of Long-chain Diacetylene Derivative Giant Domains on Si(111) Surfaces"
- 2006年秋季 第67回応用物理学会学術講演会（立命館大学）
- 「マイカをゲート基板に用いた有機電界効果トランジスタにおける劈開面上カリウムイオンの影響」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 松本 晃1，上野啓司1，池田 進2，斉木幸一朗2 30a-ZC-5
- 「PMMA処理Ta2O5皮膜をゲート誘電体として用いたC60FET」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 阿部重臣1，上野啓司1，斉木幸一朗2 30a-ZC-6
- 「Si(111)微傾斜基板を用いたペンタセン薄膜の配向制御」
- 東大理1，埼玉大理2，東大新領域3 鈴木維允1，島田敏宏1，清水亮太1，上野啓司2，池田 進3，斉木幸一朗3，長谷川哲也1 30p-ZC-4
- 「直線状周期構造を持つSi/SiOx基板上へのC60薄膜成長」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 川端ちひろ1，小野木 亮1，上野啓司1，斉木幸一朗2 30p-ZC-7
- 「マイカをゲート基板に用いた有機電界効果トランジスタにおける劈開面上カリウムイオンの影響」
２００５年度 †
- 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会（武蔵工業大学）
- 「マイカをゲート基板に用いたC60電界効果トランジスタの作製」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 松本 晃1，上野啓司1，池田 進2，斉木幸一朗2 22a-N-8
- 「Si表面上に作製した長鎖ジアセチレン誘導体薄膜の重合反応」
- 埼玉大理1，東大新領域2 小野木 亮1，上野啓司1，斉木幸一朗2 22a-N-9
- 「単一配向ペンタセン単層膜作成の試みと電子分光による評価」
- 東大理1，東大新領域2，埼玉大理3 島田敏宏1，鈴木維允1，大伴真名歩1，清水亮太1，斉木幸一朗2，上野啓司3，長谷川哲也1 26p-N-7
- 「マイカをゲート基板に用いたC60電界効果トランジスタの作製」
- 2005年秋季 第66回応用物理学会学術講演会（徳島大学）
- 「マイカをゲート誘電体に用いた有機FETの製作」
- 埼玉大院理工1，東大院新領域2 松本 晃1，上野啓司1，池田 進2，斉木幸一朗2 11a-R-3
- 「マイカをゲート誘電体に用いた有機FETの製作」
- International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4)（2005年11月，埼玉）
- "Anisotropic Photopolymerization of a Diacetylene Derivative Thin Film for Achieving a High Mobility Field Effect Transistor"
- Ryo Onoki, Keiji Ueno, Hiroo Nakahara, Koichiro Saiki
- "Anisotropic Photopolymerization of a Diacetylene Derivative Thin Film for Achieving a High Mobility Field Effect Transistor"
- The Eleventh International Conference on Organized Molecular Films (LB-11)（2005年6月，札幌）
- "Characterization of Organic Thin Films Grown on Ta2O5 Surfaces Modified by Langmuir-Blodgett Method"
- R. Onoki, K. Ueno, H. Nakahara, K. Saiki
- "Characterization of Organic Thin Films Grown on Ta2O5 Surfaces Modified by Langmuir-Blodgett Method"
２００４年度 †
- 2005年春季 第52回応用物理学関係連合講演会（埼玉大学）
- 「ペンタセンの水素終端化Si(111)上エピタキシャル成長」
- 東大理1，埼玉大理2，東大新領域3 島田敏宏1，能川玄之1，市川 央1，長谷川哲也1，岡田隆介1，上野啓司2，斉木幸一朗3 29p-YM-17
- 「長鎖ジアセチレン誘導体LB膜の重合方向制御」
- 埼玉大理1，東大理2，東大新領域3，北大理4 小野木 亮1，上野啓司1，中原弘雄1，吉川元起2，池田 進3，木口 学4，中井郁代2，近藤 寛2，太田俊明2，斉木幸一朗2,3 30a-YM-1
- 「SiO2上におけるペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向」
- 東大理1，埼玉大理2，東大新領域3，北海道大理4 吉川元起1，宮寺哲彦1，上野啓司2，小野木 亮2，中井郁代1，圓谷志郎3，池田 進3，木口 学4，近藤 寛1，太田俊明1，斉木幸一朗1,3 30p-YB-5
- 「ペンタセンの水素終端化Si(111)上エピタキシャル成長」
- 日本物理学会第60回年次大会（2005年3月，東京理科大）
- 「重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析」
- 埼玉大理，東大新領域A，北大理B，東大理C 小野木亮，上野啓司，中原弘雄，吉川元起A，池田進A，木口学B，中井郁代C，近藤寛C，太田俊明C，斉木幸一朗A 26pXC-7
- 「有機FETの time of flight 移動度測定」
- 東大理，埼玉大理A，東大新領域B 山本義朗，島田敏宏，上野啓司A，斉木幸一朗B 26pYK-6
- 「SiO2上に成長したペンタセン薄膜の成長初期過程における分子配向」
- 東大理，埼玉大理A，東大新領域B，北大理C 吉川元起，宮寺哲彦，上野啓司A，小野木亮A，中井郁代，圓谷志郎B，池田進B，木口学C，近藤寛，太田俊明，斉木幸一朗B 27aWB-5
- 「重合方向を制御した長鎖ジアセチレン誘導体LB膜のNEXAFS解析」
- 2004年秋季 第65回応用物理学会学術講演会（東北学院大学）
- 「表面修飾したTa2O5ゲート上への有機FET形成」
- 埼玉大理1，東大新領域2 小野木亮1，上野啓司1，斉木幸一朗2 2p-ZR-10
- 「表面修飾したTa2O5ゲート上への有機FET形成」
- 日本物理学会2004年秋季大会（青森大学）
- 「高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機FETの動作特性」
- 埼玉大理，東大新領域A 上野啓司，小野木亮，阿部重臣，斉木幸一朗A 13pWH-8
- 「高誘電率ゲート酸化膜を用いた有機FETの動作特性」
- 第３回 有機分子バイオエレクトロニクス国際会議（2005年3月，東京）
- "Control of Polymerization Direction of a Long-chain Diacetylene Derivative LB film"
- Ryo Onoki, Keiji Ueno, Hiroo Nakahara, Genki Yoshikawa, Susumu Ikede, Manabu Kiguchi, Ikuyo Nakai, Hiroshi Kondoh, Toshiaki Ohta, Koichiro Saiki
- "Control of Polymerization Direction of a Long-chain Diacetylene Derivative LB film"
２００３年度 †
- 2004年春季 第51回応用物理学関係連合講演会（東京工科大学）
- 「通電加熱平坦化したSi表面上への高移動度有機FET形成」
- 埼玉大理，東大新領域 上野啓司，東海林健，村山千夏，斉木幸一朗 29p-ZN-8
- 「高誘電率ゲート酸化膜の陽極酸化形成と有機FETへの応用（２）」
- 埼玉大理，東大新領域 上野啓司，阿部重臣，山崎武史，斉木幸一朗 29p-ZN-14
- 「通電加熱平坦化したSi表面上への高移動度有機FET形成」
- 日本物理学会2003年秋の分科会（岡山大学）
- 「異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機FET」
- 埼玉大理，東大新領域 上野啓司，斉木幸一朗 22pXG-1
- 「異方的成長条件下で成長したペンタセン薄膜を用いた有機FET」
２００２年度 †
- 2003春季 第50回応用物理学関係連合講演会（神奈川大学）
- 「高誘電率ゲート酸化膜の陽極酸化形成と有機FETへの応用」
- 埼玉大理，東大理，東大新領域 上野啓司，藤原宏平，斉木幸一朗，小間 篤 30p-A-4
- 「高誘電率ゲート酸化膜の陽極酸化形成と有機FETへの応用」
